恩智浦针对L波段雷达应用推出最高速RF输出功率器件

分享到:

        恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创建的独立半导体公司)扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线,近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下简称LDMOS)晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

        针对大范围的L波段雷达应用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。

        恩智浦半导体RF功率产品线全球产品市场经理Mark Murphy表示:“作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司,恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准,为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破,是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果,使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。

        恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括:
        • 500W峰值输出功率(在1.4GHz,100µs脉冲宽度,25%占空比时)
        • 17dB增益
        • 50%漏极效率
        • 更佳耐用度 
        • 能够承受高达5dB的过驱动能力
        • 更佳脉冲顶降 (低于0.2dB)
        • 供电电压50V
        • 无毒封装、符合ROHS标准 

        恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势,其环保的陶瓷封装,可与BeO封装互相替代。



  上市时间

        恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶体管将很快上市。更多恩智浦BLL6H1214-500的资讯可访问http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html .

  关于恩智浦半导体

        恩智浦是飞利浦在50多年前创建的全球领先的半导体公司。公司总部位于欧洲,在全球超过20个国家拥有33,500名员工,2007年公司营业额达到63亿美元(包括手机及个人移动通信业务)。恩智浦提供半导体、系统解决方案和软件,为电视、机顶盒、智能识别应用、手机、汽车以及其他广泛的电子设备提供更好的感知体验。关于更多恩智浦的新闻,请参观网站www.nxp.com

继续阅读
解读GaN在射频功率领域作用

氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?

Qorvo技术问答丨关于GaN应用选型中的几个常见问题解答

氮化镓(GaN)技术的性能优势使得其成为要求高功率密度、高功率附加效率、高耐用性、宽带性能和优异的防静电特性等特征的应用的完美选择,这些特征也正是氮化镓相对于其他半导体技术的优势所在。同时,通过其他各类应用需求又可以由已经成熟高性能砷化镓工艺来满足。作为氮化镓和砷化镓技术领域的领先供应商,Qorvo提供丰富的产品线、领先的性能,看看Qorvo如何解答大家常见的产品选择困惑。

适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor,横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点,被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率 LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比,已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。

利用DS4303为LDMOS RF功率放大器提供偏置

LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时,保证高性能的一个关键因素是补偿栅极偏置电压,以在温度变化时保持恒定的静态电流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前众多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。这篇应用笔记对采用DS4303实现模拟偏置方案进行了说明。

恩智浦发布BLF188XR射频功率晶体管-超耐用LDMOS提升功率

恩智浦半导体今日推出BLF188XR– 其XR系列“超耐用”LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计,真实条件下耐用性更强,能够在5dB压缩点承受超过65:1驻波比的严重负载失配。