图解Qorvo的GaN优势

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Qorvo 是全球领先的 GaN RF 供应商,自 1999 年起就一直在推动 GaN 研究和创新,提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。近几年 GaN 技术商用趋势越发明显,从下一代的国防和航天应用,到有线电视 (CATV)、VSAT、点对点 (PtP)、基站基础设施,Qorvo GaN 产品和技术优势尽显。
 
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为了验证适用于毫米波FWA阵列的GaN FEM概念,Qorvo开发了新型GaN-on-SiC毫米波前端模块,实现更高效强大的基站,同时为新兴5G无线基础设施奠定基础。Qorvo的毫米波5G FEM关键优势众多,包括更小的外形尺寸,结合PA、LNA和开关,满足相位阵列栅格间距的要求,同时双通道能够实现双极化,提高放大器功率和效率,从而降低能量损耗,提高整体功率输出,实现更高效的散热,在28GHz和39GHz频率实现5G。减少天线阵列所需组件数量,支持更高的相位阵列EIRP水平,采用更高效强大的基站技术,优化当前和未来无线基础设施。
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作为GaN-on-SiC技术的市场领导者,Qorvo从超过15年的研究,以及久经验证的市场可靠性中吸取经验,实现更高效的通信方式,协助连接和保护我们的世界。在国防和有线行业,GaN-on-SiC解决方案供应量全球第一!
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此外,Qorvo GaN RF 产品可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性,广泛用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。
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美国国防部用 MRL 来衡量供应商把产品顺利地从工厂转移到现场的能力,涉及运营成熟度、技术发展水平以及质量和制造管理。Qorvo 是达到制造成熟度(MRL)9 级的首家 GaN 供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段),提供可靠的性能、低维护和长运行寿命。
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Qorvo 的所有 GaN 产品在 200°C 条件下的平均无故障时间(MTTF)均超过10^7h,还是能承受高加速应力测试(HAST)的器件。此项测试在 105°C、85% 相对湿度且大气压不超过 4 atm 的条件下对器件性能进行 96 小时的测量。
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