Qorvo——GaN 成功的十大秘诀

高性能氮化镓半导体技术已经开始进入基础设施、航空航天、国防和商用产品领域。Qorvo™致力于提供可靠的高性能器件，其专用GaN 技术成为高功率射频器件、功率放大器、晶体管、振荡器、开关等领域的先驱，为全球各地的大型企业解决面临的射频挑战。优质 GaN 供应商有哪些特点？继续阅读，了解更多。

非线性模型、电磁有限元建模以及稳定性和环路稳定性分析有助于在高功率 MMIC 的设计中实现最佳功率和效率。Qorvo稳健的设计方法可提高首次成功率，增强设计的可靠性。

 

行业标准允许对较小的 GaN 产品样本进行测试。虽然这样做往往就够了，但是，Qorvo 在全面测定产品故障模式特性时，在超长时间内，在目标温度范围内，对较大的样本总体进行了测试。

 

MTTF 评估的是一个器件的寿命周期。供应商应至少在三个温度下对器件可靠性进行测量，因为较高的温度会导致器件寿命缩短。Qorvo的所有 GaN 产品在 200°C 条件下的平均无故障时间均超过 107 小时。

 

有些供应商要求在交付前进行预调理或老化测试，并由此延长时间、提高成本。Qorvo 的 GaN 解决方案在性能、可靠性和制造良品率数据等方面都已达到很高的成熟度，产品无需预调理即可发货，每一次都能满怀自信地为客户带来高质量的性能。

 

红外显微镜等低分辨率技术低估了产品的预期寿命和峰值结温。Qorvo 的热模型和有限元分析结果都经过微拉曼光谱测量验证，可以更加准确地预测温度和器件寿命。

 

一个常见的参数失效标准是 Imax 下降 20%。Qorvo 把 Imax参数失效设为下降 10%，确保在器件的寿命周期内，功率性能降幅不超过 1dB。

 

可靠性也通过灾难性故障率或淘汰率来衡量。在 200°C 条件下，每 100 万小时，不到 0.002% 的Qorvo GaN 器件会发生灾难性故障。另外，要注意预期运行寿命 T1、T5 和 T10，分别表示，基于较大的器件样本总体数据，分别有 1%、5% 和10% 的器件会发生故障。

 

您的 GaN 供应商的产品有现场可靠性证明吗？Qorvo 的现场 GaN 功率放大器累积超过65,800,000 器件-小时数据，每百万器件-小时的现场故障率不到 0.013%。

 

选择能承受高加速应力测试 (HAST) 的器件，此项测试在 105°C、85% 相对湿度且大气压不超过 4atm 的条件下对器件性能进行 96 小时的测量。THB 合规也是一项关键指标。

 

美国国防部用 MRL 来衡量供应商把产品顺利地从工厂转移到现场的能力，涉及运营成熟度、技术发展水平以及质量和制造管理。Qorvo是达到 MRL 9 级的首家 GaN 供应商。