采访Qorvo全球总裁:以产品技术和生产制造优势引领射频市场增长及5G准备

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7月14日,Qorvo 在山东省德州市经济开发区的新工厂正式投入运营。德州工厂的运营,不仅将最先进的封装、测试技术带到中国,还能帮助 Qorvo 进一步扩大产能,更好地服务全球客户,满足RF解决方案不断增长的需求。 当天下午,Qorvo全球总裁兼首席执行官Bob Bruggeworth以及Qorvo董事局董事何庆源先生、Qorvo公司总部企业战略总监兼中国区总经理王大卫先生等与中国媒体见面,就德州工厂运营以及媒体关心的系列问题与记者们深度交流。
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Q:德州工厂的建立,如何更好的服务中国客户?对于中国市场而言有何重要意义?
 
Bob:Qorvo 大约有 75%的产品在中国封装,近乎 90% 的产品在中国完成测试。Qorvo山东德州工厂作为最先进的封装测试中心,包括研磨减薄和切割工艺、倒装芯片贴装工艺、芯片贴装工艺、引线键合工艺、塑封成型工艺、切割工艺、电镀工艺以及激光打印等诸多工艺都实现了业内领先。基于 PA 产品的特殊性还配备了失效分析实验室。由于多频多模LTE手机的需求,来自客户的RF器件订单旺盛,原有的北京工厂现在产能非常紧张,现在德州新工厂投入生产,正好形成互补,可以满足客户的需求。Qorvo通过客户质量支持团队(CQE),应用工程师(FAE),本地测试封装厂和供应链的整合,打造了一体化的客户服务体系。
 
背景声:射频芯片产品一直保持着高速度的增长,未来德州工厂生产出来的产品,将在智能手机、5G网络、互联网和无线通讯中起到非常重要的作用,影响到未来世界每个人的生活。新工厂占地面积 47,000平方米,是 Qorvo 北京工厂设施占地面积的两倍以上。德州工厂未来不仅在产能上给予更多保证,还能为中国客户带来更多的本地化服务,帮助客户尽快解决在设计和生产中遇到的实际问题。
 
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德州工厂高精度贴装设备(精度可达+/-25um)
 
Q:在过去5年中射频芯片产业每年以20%的速率保持增长,今年智能手机的需求疲弱出现了下滑。调研机构 Gartner 数据也显示,全球智能手机的销售将持续趋缓,再也无法出现两位数成长。Qorvo如何预测未来射频芯片走势?
 
Bob:尽管未来 3~4 年智能手机的增长开始放缓,但随着4G网络时代智能手机对更多通信模式和网络频段的支持,智能手机中的射频器件数量在不断增加,Qorvo也将以 10~15%的速度保持良性增长。以三星为例,以往的终端只能支持到三模,若提升至五模,满足全球不同地区的频段需求,将在同一台手机中增加更多的滤波器、PA、LNA 和开关器件,使得单个智能手机的射频器件数量增多。
 
Qorvo在未来的5G RF射频市场将拥有很多领先的技术,比如非常适合毫米波器件的氮化镓(GaN)工艺。不仅如此,现在多频多模LTE手机,特别是运营商最新要求的载波聚合等技术,都需要大量用到BAW(体声波)滤波器,一个手机中就要用到多颗BAW,这也是Qorvo非常领先的领域。以目前商用的两载波的载波聚合为例,需要增加两个滤波器和一个开关,这对射频器件来说就是三倍数量的增长。
 
背景声:在载波聚合技术中,对滤波器的性能要求更高,从 LowDrift™ 和 NoDrift™ 高级声学滤波器技术、天线调谐专业知识到 RF Fusion™ 和RF Flex™解决方案,Qorvo 为各种智能手机和联网设备提供业界领先的核心架构解决方案。同时,Qorvo广泛的制造规模、深厚的系统级专业知识,以及业界最全面的产品和技术组合。Qorvo 帮助移动设备制造商迅速推出下一代产品方面,拥有更具竞争性的射频技术优势和市场机会。
 
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Q:在未来的5G时代,多频多模LTE手机将大规模爆发。其中会有哪些RF器件需求爆增?
 
Bob:目前手机中的RF器件包括功率放大器(PA)、双工器、开关、滤波器(包括SAW与BAW)、低噪声放大器(LNA)等等。这些器件中,多模多频手机,特别是多载波聚合技术,对于滤波器与开关器件的需求增量最多。比如,对于多载波聚合,每一个频谱两端都需要一个滤波器,也就是每增加一个频谱,需要增加两个滤波器。并且,上面还需要增加一个开关器件。多载波聚合,对于基站厂商来说,它的频谱利用率非常高,但是对于手机厂商来讲的话,就要加很多的滤波器和开关,目前一款多模多频的LTE手机,需要20-30个以上这些RF器件。
 
背景声:Qorvo是业界唯一一个拥有高端的体声波BAW滤波器、中低端的声表面波SAW滤波器及介于两者间具有温度补偿功能的滤波器这三个工艺的公司。不仅如此,Qorvo还拥有相应的工装技术和晶圆制造技术,是目前集成化非常领先的一家公司。
 
 
Q:为什么GaN是5G时代PA的最适合材料?Qorvo在此方面有何优势?
 
Bob:5G时代毫米波技术对器件功率要求非常大, GaN材料器件在相同的面积上能承受热量是GaAs的10倍,非常适用于高频段高功率发射,这也是GaN之前多用于雷达的主要原因。而Qorvo高功率GaN射频器件在美国军用雷达产品上已经发货了很多年并持续在发货,其余厂家在此领域涉足很少,这也是Qorvo相较竞争对手的优势所在。Qorvo GaN器件目前已在基站、CATV领域试用,如果以后产量增大后,成本自然也会降低了。
 
背景声:高性能碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 半导体技术已经开始进入基础设施、航空航天、国防和商用产品领域。Qorvo作为高功率射频器件、功率放大器、晶体管、振荡器、开关等领域专用 GaN 技术的先驱,持续致力于提供可靠的高性能器件,为全球各地的大型企业解决面临的射频挑战。