| GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一） 发表于：07-12-27 最后更新时间：08-10-30 所属论坛：RFIC/射频电路 评论(14) | 完整回复 | 提交评论 | 打印此页 共15项,第1/1页 |
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 GaAS：砷化镓开关，其作为开关的本质等效为电压控制的可变电阻，沟道的夹断或者导通决定着信号的通断。由于其属于耗尽型FET，所以需要使用负压驱动栅极（此时源极接地），当Vgs<Vgs off（夹断电压，负值）时，FET关断（注意是FET关断，而不是开关，如上图：开关是由多个FET构成）；当Vgs=或者略>0时，FET沟道畅通（D和S极短路）。例如：在上图中，VA=-5V、VB=0V时：左边并联FET断开、左串联FET导通、右串联FET断开、右并联FET导通，信号从RFC to RF1；VA、VB反过来，则反之。 砷化镓开关，具有优良的ip3、隔离度特性，使其大量运用在需要高隔离、低插损、线性度要求较高的射频电路中。 缺点是： 需要负压驱动，虽然可以通过ASIC（专用驱动电路）或74HC等TTL\COMS器件，使用负压反接供电，产生负的逻辑电平驱动，总之还是增加了复杂度和成本。 为了克服这一缺点，许多厂家均推出正压驱动（控制）的砷化镓开关，其原理是将S极直流接正压约=开关供电电压VDD（+值），这样就必须用正压驱动栅极。但开关的RF脚必须接电容隔直。此做法方便了工程师设计，不需要在电路中引入负压，即可控制砷化镓开关，但是影响了开关的响应速度，你会发现负压控制的砷化镓开关其典型响应时间<10ns，而正压控制的，则需要几十个ns。 由于越高的栅极电压驱动会显著提高砷化镓开关的线性特征，如P-1dB、ip3等，所以在中高功率发射时一般需要高电平控制GaAS开关，特别是在发射一些复杂的调制波时，信号峰均比高，为了不引起不必要的非线性失真，一般选用高功率的GaAS开关管，并用高电平驱动。时下高速逻辑电平电平值均<=5V,在一些需要高电平驱动的场合，还需要用反相器，把<=5V的电平切换到8V或10V电平。 |
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