更新时间 2018-05-09
在高性能射频功放中，GaN-on-SiC已经被普遍地使用了，尽管氮化镓的单位面积成本仍然高出一些竞争技术如GaAs和LDMOS，但是随着这项技术的成熟，每瓦RF输出功率的晶体管成本已经开始低于GaAs了。
