GaN HEMT:T1G4020036-FL

更新时间 2019-12-19

Qorvo的T1G4020036-FL是SiC HEMT上的2 x 200 W(P3dB)宽带输入预匹配分立GaN​​,其工作频率范围为DC至3.5 GHz,电源电压为50V。该设备采用行业标准的气腔封装,非常适合军事和民用雷达,陆地移动和军事无线电通信,航空电子设备以及测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

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英文文档 T1G4020036-FL Data Sheet pdf 2.03MB 123