GaN HEMT:TGF2819-FS

更新时间 2019-12-31

Qorvo TGF2819-FS是SiC HEMT上大于200 W(P3dB)的分立GaN,工作频率范围为DC至4 GHz,该器件采用行业标准的气腔封装,非常适合IFF,航空电子,军事和民用 雷达和测试仪器。该设备可支持脉冲和线性操作。

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英文文档 TGF2819-FS Data Sheet pdf 2.14MB 244