GaN HEMT：TGF2955

更新时间 2020-01-07

Qorvo的TGF2955是SiC HEMT上的离散7.56 mm GaN，工作频率为DC-12 GHz.TGF2955通常提供46.4 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时的功率增益为19.2 dB。 TGF2955的最大功率附加效率为69.0％，非常适合高效率应用。