GaN HEMT：TGF2977-SM

更新时间 2020-01-08

Qorvo的TGF2977-SM是SiC HEMT上的5 W（P3dB）宽带无与伦比的分立GaN，工作在DC至12 GHz和32V电源轨。 该器件采用行业标准3x3mm QFN封装，非常适合军事和民用雷达，陆地移动和军事无线电通信，航空电子以及测试仪器。 该设备可以支持脉冲和线性操作。