更新时间 2024-01-04
联合碳化硅的级联产品将其高性能 G3 SiC JFET 与级联优化的 MOSFET 共同封装，以 生产当今市场上唯一的标准栅极驱动SiC器件。 该系列表现出超低的栅极电荷，也是最好的反向 具有类似额定值的任何设备的恢复特征。这些设备 非常适合在与 推荐的 RC 缓冲器，以及任何需要标准的应用 门驱动。
