更新时间 2024-01-04
这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路 配置,其中常开SiC JFET与Si共同封装 MOSFET以产生常关SiC FET器件。设备的 标准栅极驱动特性允许真正的“下降 硅IGBT、硅FET、SiC MOSFET或硅超结的替代 设备。该器件采用TO-247-3L封装,具有超低栅极电荷和优异的反向恢复特性, 使其在与 推荐的RC缓冲器,以及任何需要标准的应用 栅极驱动。
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英文文档 | SiC场效应晶体管器件:UF3C120080K3S | 513.42KB | 82 |