SiC产品选购指南

更新时间 2024-01-05

无需改变栅极驱动电压的灵活设计 可替代硅基IGBT、硅基FET、SiC MOSFET或硅超结工艺器件。提供SiC FET设计指南，以支持成功升级，创新的共源共栅结构配置使硅基和SiC栅极电压兼容，集成的钳位二极管内置ESD保护功能，可保护栅极免受|20V|电压的影响。