进入 RF 氮化镓 (GaN) 的世界 – 这项高效、宽带隙、可靠的功率 PA 技术使网络效率逐年大幅提高。如下图所示,在基站收发台 (BTS) 生态系统中引入 GaN 后,前端效率大幅提升,使其成为适合高功耗和低功耗应用的一项全新首选技术。
GaN 具有优异的特性,包括高功率密度、高功率附加效率 ( PAE)、高增益以及易于实施阻抗匹配,可提高 RF 链的整体效率。就像一级方程式赛车的设计师一样,无线工程师也可细致地调整和调节他们的 RF 系统来逐步优化性能。从一开始就采用基础更好的半导体技术,可以在大幅提升能源效率的同时实现性能目标。
为了满足多样的 5G 要求,GaN 制造商需要提供跨越宽频率和功率水平范围的多个变体。有了多个 GaN 工艺可供选择,设计人员可以将 GaN 技术与应用进行最优匹配。
GaN 将取代传统的半导体材料用于 5G 网络应用,例如要求更高频率、紧密集成和最低实施成本的小型蜂窝。低电压 GaN 所提供的效能将不可避免地进入手机设备。GaN 具有在高温环境中运行的特性,非常适合被动制冷、全户外塔顶基站电子设备和汽车应用。总而言之,拥有广泛的 GaN 技术选择将意味着更多的应用需求得到满足。
GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求,使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线电信号聚焦成强指向性的波束,从而提高功率并最大限度地减少用户设备上的干扰)。这意味着 RF 子系统将需要大量有源元件来驱动相对紧凑的孔径。GaN 非常适合这些应用,因为以小封装尺寸提供强大性能是其最显著的特点之一。