在高功率放大器领域,提高单封装晶体管功率的想法从未中断过。从多个小型晶体管构成的放大器发展到由单个大型晶体管构成的放大器可简化装配和外部组合网络,同时还可以缩减整体尺寸。为满足这种功率需求,Qorvo开发出一款适合L频段航空无线电导航应用的1.8kW GaN on SiC晶体管QPD1025。
QPD1025是一款双通道器件,频率范围为1.0至1.1GHz。频率为1GHz且在65V进行偏置时,每一个通道都可提供900W的最大输出功率(参见图1),从而产生1.8kW的组合功率——目前市场上GaN晶体管的最高功率。在负载牵引时测量的最高效率为77%。在应用板上测量的线性增益为21dB(参见图2)。QPD1025采用41mm x 10mm NI-1230封装,有两种配置可供选择:有耳式(QPD1025L)和无耳式(QPD1025)。
应用板基板采用行业标准的Rogers RO4350B 20mil有机基板,置于低成本的镀镍铝底板上。尽管QPD1025的每个通道支持独立的漏极和栅极电压,但应用板使用外部导线将栅极和漏极接在一起(参见图3)。对于9cm x 3cm封装中从输入RC滤波器到最终输出匹配电容的功率水平来说,该同相匹配网络相当紧凑。应用板的总体尺寸为11.3mm x 9.7mm。