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微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

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发表于 2015-4-8 08:44:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
摘要: 应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理。

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