搜索
查看: 2858|回复: 8

【Qorvo专版】《氮化镓射频技术For Dummies》

[复制链接]

64

主题

403

帖子

4万

积分

版主

Rank: 7Rank: 7Rank: 7

积分
46987
发表于 2015-3-13 16:29:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
Qorvo刚刚完成更新的资料——《氮化镓射频技术For Dummies》——无论您是电气设计和氮化镓技术的新手,还是希望在设计中使用氮化镓技术的经验老道的设计工程师,您都将发现本书有所帮助。本书各章自成一体,如果您喜欢,您可以跳读。如果你熟悉一章的论题,可以直接跳过。我们在本书的其他章节提供交叉索引,所以您总能找到自己想要的东西。
21.jpg
本书目录:
1.引言
2.氮化镓综述
3.介绍氮化镓的场效应管
4.关于氮化镓技术的是个重要事实

点击此处可以下载:
TriQuint_9781118912782_Qorvo-edits_1-26-15.pdf (2.84 MB, 下载次数: 701)
回复

使用道具 举报

0

主题

6

帖子

35

积分

新手上路

Rank: 1

积分
35
发表于 2015-3-16 21:31:15 | 显示全部楼层
支持,氮化镓唯二的霸主
回复 支持 反对

使用道具 举报

1

主题

32

帖子

88

积分

注册会员

Rank: 2

积分
88
发表于 2015-3-18 11:59:52 | 显示全部楼层
:):):):):):)
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

12

帖子

102

积分

注册会员

Rank: 2

积分
102
发表于 2015-4-8 21:46:34 | 显示全部楼层
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

5

帖子

20

积分

新手上路

Rank: 1

积分
20
发表于 2015-5-27 22:12:06 | 显示全部楼层
xiexielouzhu
回复 支持 反对

使用道具 举报

2

主题

105

帖子

189

积分

注册会员

Rank: 2

积分
189
发表于 2015-5-29 20:29:45 | 显示全部楼层
下载了,多谢了!!
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

15

帖子

101

积分

注册会员

Rank: 2

积分
101
发表于 2015-11-12 11:25:32 | 显示全部楼层
1.HEG001D型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么?
答案:
性能特点:(1)可覆盖工作频带范围:1.2 ~ 1.4GHz;(2)良好的50欧姆阻抗匹配,易级联使用;(3)采用标准QF92-4金属功率管壳封装;(4)满足军温工作条件:-55摄氏度 ~ +85摄氏度。
电性能表:工作条件:50欧姆测试系统,Vd=28V, Vg=-5V;(典型测试条件:连续波)
性能参数    单位      规范值     典型值
工作频带     GHz    1.2 ~ 1.4      --
输出功率     dBm    >=43           43
功率平坦度   dB     <=0.8          0.5
功率增益     dB     >=11           11
附加效率     --     >=60%          62%

极限参数:电源电压:漏源+35V;栅源-10V
耗散功率(TA=25摄氏度):15W
存储温度范围:-65  ~ +150 摄氏度
工作温度范围:-55 ~ +85 摄氏度

2.氮化镓(GaN)的熔点为多少?
答案:GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃。

3.碳化硅基氮化镓在射频应用中脱颖而出的原因是什么?
答案:
(1) 高击穿电场:由于氮化镓拥有大能隙,因此氮化镓材料也拥有高击穿电场,所以氮化镓器件的工作电压可以远高于其他半导体器件。
当受到足够高的电场影响时,半导体中的电子能够获得足够动能并脱离化学键(这一过程被称为“碰撞电离”或“电压击穿”)。
如果碰撞电离没有得到控制,则能够造成器件性能退化。由于氮化镓能够在较高电压下工作,因此能够用于较高功率的应用。
(2) 高饱和速度:氮化镓的电子拥有高饱和速度(非常高的电场下的电子速度)。当结合大电荷能力时,这意味着氮化镓器件能够提供高得多的电流密度。
射频功率输出时电压与电流摆幅的乘积,所以,电压越高,电流密度越大,在实际尺寸的晶体管中产生的射频功率越大。简单而言,氮化镓器件产生的功率密度要高得多。
(3) 突出的热属性:碳化硅基氮化镓表现出不同一般的热属性,这主要因为碳化硅的高导热。具体而言,这意味着在功率相同的情况下,碳化硅基氮化镓器件的温度不会变的像砷化镓器件或硅器件那样高。器件温度越低才越可靠。

4.氮化镓的纵向半导体结构包括哪些?
答案:纵向半导体结构包括:栅;势垒层;沟道;缓冲层;衬底。
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

25

帖子

141

积分

注册会员

Rank: 2

积分
141
发表于 2015-11-14 15:51:09 | 显示全部楼层
谢谢分享学习一下
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

212

帖子

480

积分

中级会员

Rank: 3Rank: 3

积分
480
发表于 2018-1-20 10:08:18 | 显示全部楼层
谢谢分享。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

小黑屋|手机版|Archiver|RF技术社区

GMT+8, 2018-10-22 16:03 , Processed in 0.386493 second(s), 12 queries , MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表