GaAs 和 GaN 器件测量和建模

王浩然

作为III-V族器件, GaAs 和 GaN广泛用于微波设计, 然而, 由于半导体厂商给出的PDK和实际应用不匹配,或者说真正的LAYOUT设计和原来的器件有点不同,在几十个GHZ下面, 设计都会功亏一篑, 所以, 好的TESTKEY设计, 准确测量和好的模型对设计非常重要.附件介绍了测试所用的设备和各种模型的评估, 希望给大家有个初步的认识.

阅读全文

arklau

好强大 ，
学习一下