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【颁奖】氮化镓(GaN)知识有奖问答获奖名单(第四期)

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发表于 2015-11-27 10:13:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
氮化镓(GaN)知识有奖问答第四期已经结束了,获奖名单已经出炉。

请获奖者尽快将姓名、电话、收件地址、私信或者QQ管理员(苏柚)  QQ:2727762142

活动地址:https://rf.eefocus.com/module/forum/thread-592244-1-1.html


首先公布本期的答案
5.HEG205B型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么?
答案:电源电压:漏源+35V;栅源-10V
          耗散功率(TA=25℃):40W
          存储温度范围:-65℃~+150 ℃
          工作温度范围:-55 ℃ ~+85 ℃
性能特点
         ●可覆盖工作频带范围:1.2~1.4GHz
         ●良好的50Ω阻抗匹配,易级联使用
         ●采用标准QF136H金属功率管壳封装
         ●满足军温工作条件:-55℃~+85 ℃


6.氮化镓的压电性是如何产生的?
答案:因为氮化镓的键是离子化的,还因为镓原子
和氮原子的连续平面间距并不一致(参见图 1-2)。当我们挤压一个
平面上的原子时,上方和下方平面的原子移动不同距离,形成净电
荷、电场和电压。

7.氮化镓场效应管的几何结构方程式?
答案:a2+b2=c2

8.氮化镓的横向半导体结构包括哪些?
答案:
源极
源极连接区域
栅极控制沟道区域
漏极连接区域
漏极


下面公布获奖名单

1.四轴飞行器:Terry-351571
6.jpg


2.无线鼠标:原来是他nuaa2015
3.jpg


3.内存卡:杨萱萱inzaghi乔--木
8.jpg


下面是参与抽奖名单
2.jpg 3.1.jpg 4.jpg
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发表于 2015-11-27 10:39:11 | 显示全部楼层
木有中奖 下次努力 恭喜中奖的朋友
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发表于 2015-11-27 11:07:59 | 显示全部楼层
居然中了四轴,非常感谢社区
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发表于 2015-11-27 12:23:02 | 显示全部楼层
恭喜各位            
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发表于 2015-11-27 21:27:31 | 显示全部楼层
运气不错 中了三等奖
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发表于 2015-11-28 08:11:47 | 显示全部楼层
没有中奖啊   
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发表于 2015-11-28 10:10:05 | 显示全部楼层
二等奖
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发表于 2015-11-30 08:43:40 | 显示全部楼层
来水一贴
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发表于 2015-11-30 11:19:44 | 显示全部楼层
三等奖
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发表于 2015-11-30 14:41:27 | 显示全部楼层
好不容易答对一次题,没中奖
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