过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量的“大师”知识来完成。使用测得的负载牵引数据可以提高 PA 设计的成功率,但不一定能够获得所需应用频率下的负载牵引数据。而使用精确的非线性模型可以更快地生成设计数据,关注更精确的 PA 行为,并获得更好的结果。
在本篇博客文章中,我们将为您介绍需要了解的非线性 GaN 模型的基础知识。如果您已了解这部分知识,请直接跳至第二部分,第二部分介绍 I-V 曲线的基本原理。
什么是非线性 GaN 模型?
然而,设计人员通过仿真模型使用负载牵引数据还可以做得更多。具体来说,通过正确选取的非线性模型,设计人员可以:However, using load-pull data with a simulation model allows a designer to do much more. Specifically, with a properly extracted nonlinear model, designers can:
过去几年来,Modelithics 与 Qorvo 密切合作,开发出广泛的非线性模型库,现涵盖 70 多款裸片和封装形式的 Qorvo GaN 晶体管。这些模型有助于 PA 设计人员准确预测设计中集成的晶体管性能。Modelithics 的仿真模型与最新的电子设计自动化 (EDA) 仿真工具无缝集成,包括 National Instruments 的 NI AWR 设计环境 和 Keysight Technologies 的高级设计系统 (ADS)。
下图显示如何使用仿真模型创建 PA 设计。Qorvo 和 Modelithics 使用精选模型来生成 PA 参考设计。然后,我们制造、测试和记录这些设计,以说明模型准确性和对设计应用的实用性,以及 PA 电路级的各个 GaN 器件功能。
Modelithics Qorvo GaN 库
我们的库中包含 Qorvo GaN 晶体管器件的高精度非线性仿真模型。
Modelithics 的非线性 GaN 模型都具有设计功能,包括可变偏置、温标、自热效应、固有电流-电压 (I-V) 感应和焊线设置(若适用)。
捕获 I-V 曲线
在最基本的层面上,非线性 GaN 模型必须捕获晶体管在不同工作电平下的电流-电压特性曲线,即 I-V 曲线。晶体管的 I-V 特性决定了器件的基本功耗、效率和其他主要性能驱动因素。