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楼主: doatello

开年活动!学Qorvo产品资料知识,拿趣味电子手办!

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发表于 2019-2-21 10:32:11 | 显示全部楼层
认真了看了Qorvo的《氮化镓射频技术》一书,
屏幕快照 2019-02-21 上午10.30.32.png

无论您是电气设计和氮化镓技术的新手,还是希望在设计中使用氮化镓技术的经验老道的设计工程师,您都将发现本书有所帮助。本书各章自成一体,如果您喜欢,您可以跳读。如果你熟悉一章的论题,可以直接跳过。我们在本书的其他章节提供交叉索引,所以您总能找到自己想要的东西。
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发表于 2019-2-22 17:00:22 | 显示全部楼层
屏幕快照 2019-02-22 下午4.59.32.png

为支持 5G,移动设备 RF 前端 (RFFE)面临巨大挑战,包括新频段、海量带宽、高输出功率以及 4G 和 5G 波形。作为全球首款 5G 移动 RFFE,Qorvo QM19000 旨在应对这些挑战。


这篇PDF值得一阅
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论坛元老

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发表于 2019-2-24 09:33:20 | 显示全部楼层
筒子们!2019年的春节已经离我们远去,2010年的春节在向我们招手。
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发表于 2019-2-25 08:46:14 | 显示全部楼层
氮化镓射频技术

5G也是半导体的机遇,硅基氮化镓技术、多功能MMIC 和射频SoC 的不断发展将推动射频和微波行业朝着实现更卓越、更经济高效的集成无线系统基础设施的道路迈进,最终完成5G 连接的目标。
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发表于 2019-2-25 08:52:34 | 显示全部楼层
TGL2217-SM 0.1–20.0 GHz 10 Watt VPIN Limiter

Triquint TGL217-SM是一种封装的高功率、宽带砷化镓vpin限制器,能够保护敏感接收通道组件免受高功率事故信号的影响。TGL217-SM不需要直流偏压,插入损耗低,外形系数小。
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发表于 2019-2-25 08:57:33 | 显示全部楼层
GaN,5G的关键技术

GAN的初衷就是生成不存在于真实世界的数据,类似于使得 AI具有创造力或者想象力。应用场景如下:
AI作家,AI画家等需要创造力的AI体;
将模糊图变清晰(去雨,去雾,去抖动,去马赛克等),这需要AI具有所谓的“想象力”,能脑补情节;
进行数据增强,根据已有数据生成更多新数据供以feed,可以减缓模型过拟合现象。
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发表于 2019-2-25 13:37:06 | 显示全部楼层
GaN成功的十大因素

碳化硅上的高性能氮化镓(SiC上的GaN)半导体技术正在进入基础设施,航空航天,国防和商业产品市场。 GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗),更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出
GaN的几个突出优点:
1.有源相控阵(AESA)雷达和电子战(EW)系统:这些是碳化硅衬底氮化镓(或者是金刚石衬底)晶体管或者单片微波集成电路(MMIC)的关键应用。
2.工作在4 GHz以上大功率、宽带系统:除了氮化镓没有其他技术可以提供这些系统所需要的性能。从非常小的用于卫星通信合成孔径终端(VSATs)到更高频段的微波链路,氮化镓将是其不二的选择。
3.一些低噪声放大器(lna):尽管GaN和GaAs在噪声性能方面不分伯仲,但是GaN可以处理已经失真或失效的更大幅度信号。在处理高电平信号时,GaN有其独特的优势。
4. 高功率射频开关和其他控制组件:GaN的高击穿电压和电流处理能力使其比基于砷化镓MMIC更适合做开关。它们也可以工作在高效宽带领域,它们有相同的低 插入损耗和高隔离的PIN二极管开关,可以处理更高功率且电流消耗低。

简而言之,氮化镓现在才是刚刚发力,十年内其前途辉煌。整个发展故事值得好好读读,随着GaN所向披靡,那么砷化镓和LDMOS终将会成为历史。
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发表于 2019-2-26 09:27:59 | 显示全部楼层
搞的够热闹的
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发表于 2019-2-27 10:14:18 | 显示全部楼层
好多资料都看不懂
中文的都看的晕晕的
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发表于 2019-2-27 10:17:23 | 显示全部楼层
你的物联网智能合作伙伴

回顾四周,发现不知不觉中已经有很多物联网围绕在我们身边,小到各种可穿戴产品、共享单车,大到汽车、工厂和楼宇,移动设备、可穿戴设备、家用电器、医疗设备、工业探测器、监控摄像头、汽车,以及服装等物联网能使一切设备互联并具备智慧。
虽然物联网会提高经济效率以及个人生活,它也会加重网络安全和个人隐私的担忧,网络安全将成为国家、行业及各企业的重点研究方向。
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