物联网应用与云计算、大数据等技术密切相关,云计算为物联网提供了云化基础设施,大数据则将物联网和各类IT系统甚至社交网络所采集的信息,通过聚合挖掘形成智慧化应用。
2015年1月,曾经在射频行业叱咤风云的两家厂商RFMD和TriQuint宣布完成对等合并工作,并以全新名称“Qorvo”亮相业界。通过此次交易,两家公司实现了在功率放大器、电源管理、天线控制、开关以及优质滤波器等领域的优势互补。未来,移动设备、网络基础设施以及航空航天/国防将是Qorvo重点关注的三大热点市场。
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到 一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为,毕竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作电压(减少了阻抗变 换损耗),更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出,这就是GaN,无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
美通社北卡罗来纳州格林斯博罗和俄勒冈州希尔斯伯勒2015年1月2日电 RF Micro Devices, Inc.与TriQuint Semiconductor, Inc.今天宣布,这两家公司完成了对等合并,旨在组建射频解决方案领域的全新领导者Qorvo™ (Nasdaq: QRVO)。Qorvo预计从今天开始在纳斯达克全球精选市场(NASDAQ Global Stock Market)挂牌交易。
从2009年12月到2014年1月,全球有101个国家/地区共264个LTE网络投入商业运营。预计未来五年将有几乎同样多数量的LTE网络投入运营,LTE网络将会覆盖全球64%的人口。同时,据市场调研公司预计,未来五年智能手机的高端市场会趋近饱和,年均复合增长率会小于5%;但由于存在替换原来功能机的需求,中低端智能手机市场会仍然以大于20%的速度增长;因此,智能手机总的出货量会以约15%的速度增长,但每个设备的RF含量会以更快的速度增长。