NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺

分享到:

        恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了BFU725F微波NPN晶体管,这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点,使其成为各种RF应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如GPS系统、DECT电话、卫星无线电设备、WLAN/CDMA应用)中灵敏的RF接收器的接收效果,而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 GHz到30 GHz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。 

        为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题,BFU725F晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(SiGeC)工艺技术,该工艺还用于开发单片IC和宽带晶体管。 

        CalAmp公司工程卫星产品总监Bruce Bruchan先生表示,“我们选择了恩智浦的SiGeC BiCMOS技术,因为最终结果表明极具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益,又具备优良的动态范围。恩智浦不断开发利用SiGeC BiCMOS技术制造的产品,并通过持续创新应对快速变化的微波和无线市场日益增长的市场需求,展示了该公司对客户的承诺。” 

        除已经上市的解决方案外,包括TFF1004HN(用于卫星低噪音电路块的高度集成IC)和BFU725F微波晶体管,恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和MMIC(单片微波IC),预计将于今年年底和2008年年初面世。 

        恩智浦创新经理Bart Smolders教授表示,“QUBiC4X旨在满足实际高频应用,巧妙结合了超高的功率增益和优良的动态范围。我们的主张是要创造一种采用硅基工艺且具砷化镓(GaAs)性能的技术,这样我们就可以提供具有成本效益的集成高频解决方案。” 

        BFU725F符合RoHS标准,可达到极低的噪音(1.8GHz时0.43dB / 5.8GHz时0.7dB)和很高的最大稳定增益(1.8GHz时27dB / 18GHz时10dB)。独有特点包括高达fT 70 GHz的开关频率并封装在SOT343F塑料表面贴装封装包中。 

        恩智浦的BFU725F微波晶体管现已大批量上市。
继续阅读
摩尔定律还能坚持多久?

近日,三星公布了其半导体工艺路线图,除了今年下半年使用EUV的7nm量产之外,接下来还将有5nm和4nm FinFET,而到了2020年则会开始3nm基于Gate All-Around (GAA)晶体管的最新工艺。除此之外,ASML则确认了其光刻机使用EUV加上大数字孔径可以实现1.5nm的特征尺寸从而可望支持摩尔定律发展到2030年。近些年来,“摩尔定律接近尾声”的声音不绝于耳,而这些消息却像是给摩尔定律打了一剂强心针,至少在技术上我们还能继续把特征尺寸缩小这件事继续做几年。

真空管或许会改变集成电路的未来走向?

今天,即使是那些真空管也消失了,除了几个特殊领域外,真空管已经是一种灭绝的技术了。因此,了解到目前集成电路制造技术的一些变化可能使真空电子起死回生,人们可能会感到惊讶。

Qorvo®推出业界最强大的GaN-on-SiC晶体管

创新的射频解决方案,连接世界的领先供应商Qorvo,今天宣布推出世界上最高功率碳化硅(氮化镓上的SiC)的RF晶体管。QPD1025以65千伏的1.8KW电压工作,为L波段航空电子设备和鉴别敌友(IFF)应用提供了出色的信号完整性和扩展范围。

柔性电子将会带来怎样的反响?

如果我们能掌握机遇、克服仅存的挑战,柔性电子技术可望在接下来五年迎接最令人兴奋的进展!

实现超高功效的新一代非对称型Doherty放大器QPD2731

Qorvo宣布推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管,可最大限度提高线性度、效率和增益,并最终降低运营成本。