恩智浦新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术促进射频创新

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦成立的独立半导体公司),近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术,巩固了其在射频领域的领导地位,实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时,为客户带来成本优势。恩智浦承诺将进一步加大对QUBIC4 BiCMOS技术的投入,使未来的射频(RF)产品,如手机和通信基础设施设备所用的低噪声放大器、中功率放大器和LO发生器等,能够具有更强的性能特性。

恩智浦创新的硅锗碳工艺,可使客户在器件中集成更多功能,同时进一步降低成本,减小占用空间。出类拔萃的QUBIC4技术具有最出色的低噪声性能和大量可用IP,从而加快硅器件对砷化镓器件的替换,在所有双向数据传输系统中提供更大的带宽,提高语音、图像和数据信号的清晰度,使客户满意;特别是在GPS、无线基站、电子计量等领域,恩智浦的QUBIC4技术有助于加快GPS系统的卫星跟踪和定位,改善基站性能,实现电子计量产品的普及,同时推动WLAN、卫星和微波无线电应用。

Gartner公司研发副总裁Stan Bruederle表示:“世界已走向无线时代。无论是在户内还是在户外,客户无时不刻在与越来越多的移动设备打交道,以享受激动人心的新式应用和娱乐。但是,随着越来越多的数据涌入这些设备,设备本身对于其性能和频率的束缚也被推至极限。现在,半导体工业已把射频集成度和性能推进到了一个前所未有的水平,确保设备制造商能够抓住新兴应用市场,而使消费者拥有功能更完善的移动设备。”

恩智浦同时也可提供QUBIC4的ASIC服务。结合我们丰富的射频和微波设计经验、大量的IP、先进的低成本射频封装技术,以及自有的晶元工厂,我们能为客户提供质量可靠的批量生产能力。

恩智浦半导体模拟混合信号产品部副总裁John Croteau表示:“客户需求推动射频市场发展,其很大程度有赖于大规模生产的成本结构。QUBIC4技术虽然以硅技术为基础,但却具有砷化镓技术的性能,能够提供更强性能、更高集成度、更具成本优势的解决方案,同时能够确保出色的信号质量。此举完美展示恩智浦致力于推出新一代高性能射频技术,以支持新的移动连接设备的承诺。”

恩智浦硅锗碳 BiCMOS QUBiC4技术在发展过程中产生了三种版本:

·QUBiC4+:以硅技术为基础,非常适合5 GHz及以下频率的应用,以及中功率放大。

·QUBiC4X:第一代硅锗碳技术,非常适合频率在30 GHz及以下的应用,以及GPS等超低噪声应用。

·QUBiC4Xi:最新的硅锗碳技术,改善了Ft (> 200 GHz),噪声系数更低,非常适合VSAT和雷达等频率在30 GHz以上的应用。

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