TSMC推出LED驱动集成电路制程

分享到:

        台积电(TSMC)新推出模块化BCD (Bipolar, CMOS DMOS)制程,将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。新制程提供12V~60V的工作电压范围,可支持多种LED的应用,包括:LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等。

        新的制程横跨0.6微米至0.18微米等多个世代,并有数个数字核心模块可供选择,适合不同的数字控制电路闸密度。此外,也提供CyberShuttle共乘试制服务,支持0.25微米与0.18微米制程的初步功能验证。

        借着新制程所提供的多项整合特色,可减少系统产品的物料列表。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET开关整合,降低零组件数目外,其他可被整合的零组件还包括:高电压双载子晶体管、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极管(Zener diode)等,也可降低外部零组件数,并显著地缩小电路板的面积。

        DMOS制程支持专业集成电路制造中领先的汲极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如:对一特定的60V NLDMOS组件,当BV>80V时,其Rdson为72mohm-mm2)以及其高电流驱动能力,可藉由组件尺寸的优化来提升功率效能;强固的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想;更多详细的特性分析亦可作为有用的参考,使IC设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。

        在COMS方面,5V工作电压能支持模拟脉冲宽度调变器(Pulse Width Modulation controller)的设计,而2.5伏特及1.8伏特的逻辑核心,则通用于较高层次的数字整合。除此之外,与逻辑线路兼容、单次写入及多次写入均可的内存选项,亦可提供强化的数字程序设计使用。

        台积电工业电子开发处刘信生处长指出,就驱动组件整合来说,新的LED驱动IC之BCD制程是非常尖端的技术,其相关的制程设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型,提供单芯片设计更多的方便性。除此之外,Mismatching Model可协助提升目前在多信道LED驱动器设计上的精准度。

继续阅读
智能手机的推动纳米制程快速发展

纳米制程下的风云突起半导体技术经过半个多世纪的发展,终于实现了纳米级的制造工艺。现如今,纳米制程更是牵动了多方神经。台积电20纳米制程硅晶片或于明年量产台积电晶圆14厂12寸超大晶圆厂第五期工程于9日

TSMC推出LED驱动集成电路制程

台积电(TSMC)新推出模块化BCD (Bipolar, CMOS DMOS)制程,将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。新制程提供12V~60V的工作电压范围,可支持多种LED的应用,包括:LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等。

台积中芯和解案/中芯有喜 联电有忧

台积电和中芯国际达成和解,虽然付出支付2亿美金和一成股权的代价,但中芯国际股价开盘反而大涨39%,因为投资人看好未来和台积电的合作关系,而台积电和联电都以小高盘开出,而且接近午盘时开始拉高,表现也很亮丽。

中芯:寻求与台积电和解

中芯国际与台积电间的商业机密官司,经美国加州高等法院判定中芯败诉后,中芯在昨(9)日终于打破沉默,由高层私下表示,市场所传的中芯必须支付10亿美元赔偿金,这个数字并不可靠,也不是法院给出的判决数据,中芯同时强调,仍会积极朝和解之路迈进。

台积电诉中芯国际获胜:处罚额度或超10亿美元

一对老冤家——台积电与中芯国际(00981.HK),再次在法庭上打了起来。台积电先胜一轮。