新日本无线发布设有旁通电路的低噪声放大器MMIC

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       新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHzCDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6,并开始样品供货。

       利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器,所以需要高性能的低噪声放大器。 NJG1127HB6正是为了满足这样的要求而开发的,主要用于800MHz的CDMA手机的设有旁通电路的低噪声放大器。

       NJG1127HB6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成,实现了IIP3=+8dBm min. @f=880MHz(高增益模式时)的低失真特性,便于信号接收电路的设计。此外,因为强电场输入时不需要使用放大器对RF信号进行增幅,NJG1127HB6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时,使内置低噪声放大器处于待机状态,实现了低消耗电流(低增益模式)。电场输入处于通常状态时,通过内置低噪声放大器对RF信号进行增幅(高增益模式)。对上述高、低增益模式的切换,利用微处理器,可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。

       该公司已于2006年11月开始发放NJG1127HB6样品,2007年1月开始正式投入生产,投产后预定月产量为50万只,样品价格为50日元。

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