恩智浦高速RF输出功率器件

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       恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创建的独立半导体公司)扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线,近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下简称LDMOS)晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。 

       针对大范围的L波段雷达应用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。 

       恩智浦半导体RF功率产品线全球产品市场经理Mark Murphy表示:“作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司,恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准,为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破,是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果,使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。 

       恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括:
• 500W峰值输出功率(在1.4GHz,100µs脉冲宽度,25%占空比时)
• 17dB增益
• 50%漏极效率
• 更佳耐用度
• 能够承受高达5dB的过驱动能力
• 更佳脉冲顶降 (低于0.2dB)
• 供电电压50V
• 无毒封装、符合ROHS标准 

       恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势,其环保的陶瓷封装,可与BeO封装互相替代。

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