RFMD推出WiFi、WiMAX、LTE和其它无线应用的高性能2.3–2.7GHZ功率放大器IC

分享到:

北卡罗来纳州、Greensboro,2010 11 11 ——日前高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号:RFMD)宣布推出2.3–2.7 GHz 功率放大器 IC——RF5632RF5632 专门为 WiMAX 系统优化其设计适用于多种应用包括客户端设备 (CPE)、网关、接入点、LTE 无线基础设施针对无线视频分布式网络的基于 WiFi 的无线高清晰接口 (WHDI)
 
RF5632 为全球客户提供各种适合他们需要的功率放大器 IC,这些器件整合了功能强大和行业领先的射频性能和最佳的产品尺寸及易用性。RF5632 在行业领先的 4mm x 4mm QFN 封装内整合了 3 级功率放大器和功率检测器,大幅减少了客户设计时的尺寸需求。而且,RF5632 使用标准的 5V 电源,无额外的电源要求,提高了设计的灵活性和降低了材料清单成本 (BOM)。此外,RF5632 完全经过直流和射频测试,包括额定输出功率时的 EVM,最大化应用收益和加快上市时间。
 
RF5632 可提供 2.5% 的 EVM,符合或超出 WiMAX 和 LTE 频谱遮罩的要求,在 2.3–2.4GHz、2.4–2.5GHz 和 2.5–2.7GHz 频率范围提供28dBm 输出功率。此功率放大器的偏置可调整以匹配 22dB 增益步进,提高系统的动态范围。 RF5632 可提供34dB 的高增益和高线性输出功率以及最佳的效率。 RF5632 可保持各个温度和功率输出的线性度,同时通过外部匹配调整输出功率的频段。此外,RF5632 还具有内部输入和中间级匹配,功率下降模式和功率检测。RF5632 采用 InGaP HBT 半导体技术,以无铅晶片载体封装,带后端接地。
 
RFMD 在 11 月 9 日至 11 月 12 日于德国慕尼黑举行的 Electronica 2010 展会上展出 RF5632 以及多款业界领先的射频组件产品。您可前往 RFMD 展位 (#A4.136) 索取产品手册,也可登录 RFMD 网站 www.rfmd.com 或拨打 RFMD 电话 336-664-1233 索取数据手册。
 
供货情况
RF5632 的售价为 3.10 美元(订单量 10,000 件起)。RFMD 网上商铺和当地 RFMD 经销渠道可提供样品,并已实现量产。
 
关于 RFMD
RF Micro Devices(NASDAQ GS 代码:RFMD)堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性,提供更高的连接能力,以及支持蜂窝手机、无线基础设施、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络/宽带、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可,并且是受全球领先移动设备、客户端设备及通讯设备制造商所青睐的供应商。
RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro,是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易,交易代码为 RFMD。有关更多信息,请访问 RFMD 网站:www.rfmd.com

继续阅读
Qorvo®功率放大器被应用于航空航天系统

中国 北京,2019年6月25日 ——移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与RF解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.今日宣布,Qorvo的MMIC功率放大器被Syrlinks公司应用于其开发的近地轨道(LEO)卫星的遥测跟踪和控制模块中。搭载该模组的卫星群的前六颗卫星由Airbus OneWeb Satellites设计,将为全球几乎所有地方提供网络连接。Qorvo 产品具有业界领先的可靠性和性能,将减轻卫星电力系统的压力,确保在发射和接收模式下都保持信号完整性。

Qorvo®功率放大器被Syrlinks应用于航空航天系统(上)

Qorvo 的 MMIC 功率放大器被 Syrlinks 公司应用于其开发的近地轨道(LEO)卫星的遥测跟踪和控制模块中。搭载该模组的卫星群的前六颗卫星由 Airbus OneWeb Satellites 设计,将为全球几乎所有地方提供网络连接。Qorvo 产品具有业界领先的可靠性和性能,将减轻卫星电力系统的压力,确保在发射和接收模式下都保持信号完整性。

基于模型的GaN PA设计基础知识

对于氮化镓 (GaN) 功率放大器,设计师需要考虑非线性操作,包括 RF 电流-电压 (I‑V) 波形会发生的状况。优化非线性行为设计的一种方法就是仿真内部 I-V 波形

GaN HEMT——5G 基站射频功放主流

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已经成为5G宏基站功率放大器的主流候选技术。GaN HEMT凭借其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率,已成为基站PA的有力候选技术。

技术GaN货丨基于模型的GaN PA设计基础知识:内部I-V波形的定义及其必要性

在典型GaN HEMT 放大器应用中,源是接地的,RF 输入信号应用于整个栅极-源极终端。漏极与负载连接,负载阻抗决定了当RF-AC 输入信号在最小和最大峰值之间来回摆动时,负载线路来回移动的轨迹。