飞思卡尔面向无线通信应用提供高性价比的小型低噪声放大器,增强射频产品系列

分享到:

2010126日,德州奥斯汀讯-飞思卡尔半导体推出针对无线通信市场的新型低噪放大器(LNA)。 新LNA具有成本低、封装体积小等特性,适用于100 MHz到2.5GH的应用,如:遥控钥匙 (RKE)系统,智能电表,无线局域网(WLAN)应用,全球定位系统(GPS),双向无线电通信设备,工业、科学和医疗(ISM)设备,缓冲放大器,混频器,增益模块和电压控制振荡器(VCO)。
 
小型无引线封装LNA带来新的设计机遇
这些新产品基于飞思卡尔LNA产品组合,采用无引线封装,为要求高度低、最小占地面积和易焊接的解决方案创造了新的设计机遇,这些解决方案适合采用紧密印刷电路板的应用。
  • MBC13917专为需要高增益(27 dB)和高反向隔离(46 dB)的100 MHz到2.5GHz应用设计。 这种级联放大器配置使用一个集成偏置网络,以降低系统复杂性和成本。
  • MC13850的目标是400 MHz到2.4GHz的应用,它采用两种可选第三阶拦截点模式,不需要高拦截点时,则启用较低的电流消耗设置。 另有一旁路模式可在强信号条件下预留输入拦截点。
  • MC13851专为1000 MHz到2.4 GHz的应用而设计,并具有集成式旁路开关,以保持接收器在各种信号强度环境下运行时的第三阶拦截点性能。 在激活模式下,该增强型SiGe产品的噪声指数和电耗都低。
  • MC13852专为400 MHz到1000 MHz应用进行了优化,通过集成式旁路开关扩大动态范围,并支持以极低的总电耗实现高旁路模式占空比的设计。 飞思卡尔增强型SiGe技术,确保激活模式下噪声指数和电耗都低。
这些SiGe产品在激活模式下的低电耗和噪声指数,让设计人员能够降低整个系统的电流预算并满足敏感性性能要求。
 
现有的应用设计工具
为了加快新设计开发,现在已面向大量应用频率提供了应用设计,包括评估套件快速入门指南的所有特性和设计信息。另外还提供针对每个应用频率提供了评估套件,包括s2p文档、增益和噪声周期。
 
定价和供货信息
目前已提供四种器件的样本,预计2011年第一季度投入生产。评估套件和其它支持工具现已供货。如需了解样本和定价信息,请联络当地的飞思卡尔销售办事处或授权经销商。如需了解更多信息,请访问https://www.freescale.com/rflowpower
 
关于飞思卡尔半导体
飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球拥有设计、研发、制造和销售机构。如需了解其它信息,请访问www.freescale.com.

继续阅读
手机射频芯片整合将是未来的发展趋势

通信技术从2G 发展到4G,每一代的蜂窝技术都出现不同面貌的革新。从2G 到3G 增加接收分集技术,3G 到4G 则增加载波聚合,再到4.5G 时则是增加超高频,4x4 MIMO,更多的载波聚合。

封装天线技术的发展史

AiP技术已逐渐趋于常熟,在技术方面有很多论文和专利可供参考,但还没有一篇回顾AiP技术发展历程及其背后故事的文章,本文旨在填补这一方面的空白。

几种常见的射频电路及主要指标分析

LNA是一种特殊的放大器,主要用于射频接收机前端,将天线接收的信号以小的噪声和大的增益进行放大,对提高接收信号质量,降低噪声干扰,提高接收灵敏度有着极其重要的意义,它的性能好坏关系到整个通信系统的质量。

Qorvo发布全新氮化镓芯片晶体管

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。

射频半导体工艺大全

射频半导体有多少种工艺?各种工艺又有什么有点缺点?一起来看看吧~