高通28纳米LTE芯片成型

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手机芯片大厂高通(Qualcomm)在开发LTE芯片往前迈进一步!高通确定今年将推出28纳米制程的多模LTE芯片,除了与宏达电合作推出LTE智慧型手机外,近期也计划与OEM厂商合作推出支援LTE的平板装置。同时,高通更积极进军中国TD-LTE市场,推出同时整合FDD/TDD、以及3G和 EDGE规格的TD-LTE芯片。

高通大中华区业务发展副总裁沉劲表示,28纳米的LTE芯片组,将瞄准智慧型手机和平板市场。 在出席台湾4G无线宽频研讨会上,高通大中华区业务发展副总裁沉劲表示,28纳米的LTE芯片组,将瞄准智慧型手机和平板市场,除了宏达电之外,高通也会深化与华宝通讯的合作广度。在小笔电领域,高通也会继续和华硕和宏碁密切合作。

沉劲进一步指出,100美元价格甚至以下的智慧型手机产品,将成为新兴市场另一波的新商机,因此能够整合更多无线通讯标准、具有价格竞争力的多模芯片,才有机会掌握这波中低阶智慧手机的发展趋势。未来LTE芯片势必以多模架构为主流,非对称(unpaired)的多时分工(Time Division Duplex;TDD)技术,可大幅降低LTE芯片功耗,并更有效地利用双核心处理器资源。

确定在今年将会推出样品的新款28纳米多模LTE芯片组,整合HSPA、CDMA2000 EV-DO Rev.2和EDGE等规格,统统包办了2G~3.9G无线通讯标准,同时也结合WLAN、 GPS、蓝牙和FM等无线连结功能。这款双核LTE芯片除了处理效能可达1.4GHz之外,也强调多媒体和绘图处理的能力。

中国移动通信研究院副院长王晓云在台湾4G无线宽频研讨会上也指出,目前除了高通之外,包括三星、迈威尔(Marvell)、ST-Ericsson、Sequans、Beceem(现为Broadcom所并购)、Altair Semiconductor、Wavesat、Nokia、LG和联发科等,以及中国的海思(Hisilicon)、创毅视讯(Innofidei)、重邮信科(CYIT)、展讯(Spreadtrum)、中兴和大唐等,都已经具备清楚的多模LTE芯片架构发展轮廓。

这些正在投入的LTE芯片商,大部分都朝向整合对称(paired)分频多工(Frequency Division Duplex;FDD)和非对称分时多工(TDD)架构,并且进一步整合EDGE、TD-SCDMA或是UMTS等多模无线通讯标准。

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