新材料拉动RF功率器件市场

分享到:

 [据ABI Research网站2011年1月26日报道]虽然RF(射频)功率半导体在无线基础设施市场仍处于停滞状态,但在其他市场,尤其是军品市场,形势已开始好转。据美国市场研究机构ABI Research最新报告指出,GaN(氮化镓)作为未来很有潜力的RF功率器件制备材料,将进一步获得市场认可。
GaN兼具GaAs(砷化镓)的高频性能和硅基LDMOS器件的功率处理能力,现已成为主流技术,取得了一定市场份额,并将在未来市场中占有一席之地。
不同于无线基础设施市场,军品市场的RF功率器件交易表现出强劲上扬的态势。虽然生产商集中在几个主要工业化国家,但随着军品市场的全球化,买方可来自世界各地。
RF功率器件是指频率达到3.8GHz且输出功率在5W以上的半导体器件,可以满足现有大部分应用需求。


(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 陈 思)


原文:


Military Spending and GaN Adoption Driving RF Power Semiconductor Markets, Says ABI Research

10:48 GMT, January 26, 2011 SCOTTSDALE, Ariz. | Although spending on RF power semiconductors in wireless infrastructure markets has continued to stagnate, other markets – notably the military – are seeing increased activity. Also, according to a new study from ABI Research, Gallium Nitride – long seen as a promising new “material of choice” for RF power semiconductors – is continuing to gain some market traction.
GaN bridges the gap between two older technologies, exhibiting the high-frequency performance of Gallium Arsenide combined with the power handling capabilities of Silicon LDMOS. It is now a mainstream technology which has achieved measurable market share and in future will capture a substantial part of the market.
Other than wireless infrastructure, the vertical market showing the strongest uptick in the RF power semiconductor business has been the military. While the producers of these devices are located in the major industrialized countries, the military market is now so global that equipment buyers can come from anywhere.
“RF Power Semiconductors” examines RF power semiconductor devices that have power outputs of greater than 5 watts and operate at frequencies of up to 3.8 GHz, which represent the bulk of applications in use today.

继续阅读
GaN射频技术发展趋势

以5G为代表的Sub 6G通信射频系统非常复杂,尤其是那些需要使用高载波频率和宽频带的新技术,包括载波聚合、Massive MIMO等。为此,很多半导体公司在技术上全面开花希望利用先进的半导体工艺技术应对甚至引领新一代的通信技术需求。以ADI为例,该公司全面拥有GaN、GaAs和SiGe以及28纳米CMOS等完整工艺,努力打造更具高集成度、低功耗和低成本的整合系统解决方案。 然而,在下一步的5G系统部署以及高端测试应用和卫星及航天应用中,无疑以高带宽和大功率为优势的GaN是其中的佼佼者,正在进入许多应用

Yole:2025年,GaN RF市场规模将超过20亿美元

日前,市场分析机构Yole Développement 发布了2020年第四季度复合半导体季度市场监测报告。据报告预测,截至 2025 年,GaN RF3器件市场整体规模将超过 20 亿美元。Yole进一步指出,在2019 年至 2025 年间,GaN RF的 CAGR为 12%。

GaN:实现 5G 的关键技术

日前,由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”隆重举行。Qorvo 无线基础设施部门高级应用工程师周鹏飞也受邀参与了这次盛会,并发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。

9 月 22,Qorvo 将为你带来 GaN 射频的精彩分享

为进一步推动中国芯片设计能力的提升,由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”将于 9 月 22 日隆重举行。峰会将集聚产业学术大咖、行业顶尖专家和民间技术精英,共同探讨集成电路产业前沿技术及实践经验,关注 IC 设计思想和方法,旨在推动产业的协同创新,助力我国集成电路产业快速发展。

Yole:2025 年,GaN RF市场规模将超过 20 亿美元

知名市场分析机构 Yole Développement(Yole)在其报告中表示,在过去的几年中,射频(RF)应用由于 GaN 技术的实施而得到了推动。但 GaN RF 市场的主要驱动力仍然是电信和国防应用。他们进一步指出,到 2025 年,整个 GaN RF 市场将从 2019 年的 7.4 亿美元增长到超过 20 亿美元,复合年增长率为 12%。