NXP推出无线基站多级可变增益线性放大器

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今天推出BGU706x系列多级基站LNA,支持可变增益,0.9 dB的噪声系数处于硅接收链业内最低水平。架构上,该LNA集成了一款超低噪声LNA和一种旁路功能,其后是一个模拟控制可变增益放大器(VGA)。这些BGU706x低噪声放大器具有高线性度的特点,并且最多可使元件数量减少80%。

BGU706x基站LNA的射频输入过驱高达10-15 dBm,具有突出的耐用性,采用恩智浦硅锗碳(SiGe:C) BiCMOS工艺技术制成,可为高频应用带来优秀的性能。恩智浦将于本周在加拿大蒙特利尔IMS2012国际微波会议上展示BGU705x固定增益LNA和BGU706x可变增益LNA(展位号:607)。

“随着移动数据通信快速取代语音通信,当今的无线基础设施面临一个挑战。凭借超低的噪声系数,我们的最新多级LNA可以增大小区覆盖范围,减少所需基站数量,从而帮助运营商节省可观的资本支出和运营开支,”恩智浦半导体无线基础设施营销总监Kees Schetters说道,“通过简化设计导入,这些LNA还可帮助工程师集中精力攻克难关,使应用性能迈上新的台阶,从而获得显著的竞争优势。”

技术要点:
BGU706x集成多级LNA和可变增益,0.9 dB的噪声系数处于硅接收链行业的最低水平,可以增大小区覆盖范围。
BGU706x LNA具有突出的耐用性,射频输入过驱高达10-15 dBm。这样有利于整体系统稳定性,并可以功率放大器功率的系统部分泄漏进LNA(时间双工系统的一种可能风险)时实现极佳的性能。
另外,凭借35 dB的模拟增益控制能力和高达IP3的线性度输入(最大增益下为0.9 dBm),BGU706x系列是存在严重阻挡问题的小型小区的理想选择。
恩智浦的集成模式可以显著减小整体LNA面积和物料成本(BoM),减少80%的元件——在采用一个6通道接收器、服务于3个区域并具有2Rx多样性的典型实现中,可使元件数量从360个减少至40个。

BGU706x LNA使整体系统功耗达到最佳状态,与其他供应商的解决方案相比,功耗大约降低了30%。该系列LNA的散热量较小,可以有效防止噪声系数和可靠性下降,从而延长使用寿命。
新型集成型BGU706x器件对恩智浦现有BGU705x系列形成了良好的补充。借助20 dBm的射频输入功率过驱能力和高ESD保护能力(HBM 4 kV;CDM 2 kV),这些器件非常耐用,能够满足苛刻的功率需求,最大功率增益高达37.5 dB,功耗水平则非常低(65 – 90 mA)。

产品和上市时间
BGU7063 和BGU705x 系列LNA即将上市。BGU7060、BGU7061、BUG7062将于2012年7月上市。

可变增益的集成式多级LNA的频率范围:
BGU7060:700MHz – 800MHz
BGU7061:800MHz – 950MHz
BGU7062:1710MHz – 1785MHz
BGU7063:1920MHz – 1980MHz

固定增益型LNA的频率范围:
BGU7051:500MHz – 1500MHz
BGU7052:1500MHz – 2500MHz
BGU7053:2300MHz – 2800MHz

关于恩智浦半导体
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司总部位于欧洲,在全球超过25个国家拥有大约28,000名员工,2009年公司营业额达到38亿美元。

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