TriQuint推出新型高性能GaAs射频驱动放大器

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中国上海- 2012年9月6 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106,它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器具有极宽工作带宽并且非常坚固,在操作范围50到1500 MHz之间提供高性能。
 
TQP7M9105和TQP7M9106 是不断发展壮大的TriQuint 第三代5V线性驱动放大器产品系列的最新成员。除了在蜂窝收发基站 (BTS) 应用中的卓越性能以外,它们同样非常适用于远程无线电头端 (RRH) 和小蜂窝基站的射频设计。
 
立即下TQP7M9105载数据手册:TQP7M9105.pdf
立即下TQP7M9106载数据手册:
TQP7M9106.pdf
 
TQP7M9105提供1W(+30 dBm)的P1dB射频输出功率,增益为19.4 dB,输出三阶交调截取点(OIP3)为达到同类产品最高线性度的49 dBm,在+5 V电压下耗电仅为220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射频输出功率,增益为20.8 dB, 输出三阶交调截取点为大于竞争器件的50dBm,在+5 V电压下耗电仅455 mA。这两款器件都集成了片上电路,这使它们能够达到工作模式为 A类但效率为 AB类的放大器的典型线性度。
 
另外这两种产品还具有出色的耐电强度,能够处理它们经常会遇到的“超出规范的”工作条件。例如,它们能够提供射频输入过载保护和直流过压保护。此外,它们的片上静电放电 (ESD) 保护使它们能够满足严格的 1C类 HBM规范要求,这使它们能够经受通常会在正常制造环境中遇到的大部分杂散电压。这两种产品采用符合RoHS标准的无铅SOT-89 (TQP7M9105) 封装和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面贴装封装。
 
技术细节:
TQP7M9105
50-1500 MHz射频驱动放大器,1W (+30 dBm) P1dB 射频输出功率、+49 dBm OIP3、19dB 增益、片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护;+5V 电源,220mA电流消耗;采用3引脚SOT-89封装。
TQP7M9106
50-1500 MHz射频驱动放大器,2W (+33dBm) P1dB 射频输出功率、+50 dBm OIP3、20dB 增益、片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护;+5V 电源,455mA电流消耗;采用24引脚4x4mm QFN封装。
 
新TQP7M9105和TQP7M9106驱动放大器现已量产并供应完整组装的评估夹具。欲了解产品细节请联系TriQuint,欲联系销售代表或分销商
 
关于TriQuint

成立于1985年的TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识,TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化钾 (GaN)、声表面波 (SAW) 和声体波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂,在哥斯达黎加拥有生产中心,在北美地区和德国拥有设计中心。

 

 

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