飞思卡尔推出两级LNA,在单一系统中支持无线基站的多个无线空口

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2012109德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体公司 (NYSE:FSL)日前宣布推出在一个器件中满足两个增益级要求的新型两级低噪声放大器(LNA),提供跨多个频段覆盖范围,以简化无线基站设计。
 
随着支持LTE的器件数量不断增加,以及日前网络频段配置的细化,需要采用支持多种品牌和协议的解决方案来支持器件解决消费组网需求问题。飞思卡尔通过其新型两级LNA满足了这些需求,在消除对额外增益级需求的同时,保持低噪音和高增益的最佳组合。 
 
 
飞思卡尔的MML09212H和MML20242H两级LNA提供了0.52和0.57 dB的噪声系数,分别为低频段频率展现37.5 dB 增益,为高频段频率展现34 dB增益。LNA在多个频段和协议之间提供覆盖范围(包括LTE和WCDMA),使无线基站OEM能够实现通常由两个不同的器件实现的增益功能,并且跨越无线网络频谱和频段配置。

立即下载MML09212H数据手册:MML20242H数据手册.pdf
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MML20242H数据手册.pdf
 
飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理Ritu Favre表示:“对于无线基站提供商来说,集成可以在多个接口上使用的多个解决方案是一个充满挑战的过程。我们的新型LNA提供了单一的紧凑型解决方案,避免了对于补充放大器的需求,支持LTE和WCDMA等常用接口,并帮助设计者缩短开发时间,并更加高效地准备下一代网络,为大量涌入的LTE用户提供支持。”
 
这一新型两级LNA提供高整体三阶输出截取点(OIP3),在温度变化时可实现低失真并提高稳定性。这一紧凑型解决方案采用小型3 mm封装,帮助设计者减少其总体芯片数量并节省板卡空间。这些器件的设计旨在支持无线基站的接收器要求,包括从femto到macro基站的处理能力,并支持广泛的无线接口,包括LTE和WCDMA/CDMA。
 
定价和供货
两种器件目前都已大量供货。评估套件和其他支持工具也已上市。如需了解样件和定价信息,请联系当地飞思卡尔销售办事处或飞思卡尔授权经销商。
 
飞思卡尔半导体公司基站应用的领导者
飞思卡尔提供端至端的芯片解决方案,适用范围从femtocell到macrocell(宏蜂窝)基站应用,包括Airfast射频功率解决方案、QorIQ Qonverge SoC和射频 GaA MMIC。飞思卡尔是在无线基站中使用的硅射频LDMOS功率晶体管的世界领先提供商,并于近期宣布推出了Airfast 28 V AFT26HW050GS LDMOS晶体管,专门面向宽瞬时带宽microcell/metrocell LTE应用而设计。飞思卡尔还拥有多项与GaAs有关的专利,是首家基于GaAs技术开发器件的公司。
 
关于飞思卡尔半导体

飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)是嵌入式处理解决方案的全球领导者,提供业界领先的产品,不断提升汽车、消费电子、工业和网络市场。我们的技术从微处理器和微控制器到传感器、模拟集成电路和连接,它们是我们不断创新的基础,也使我们的世界更环保、更安全、更健康以及连接更紧密。我们的一些主要应用和终端市场包括汽车安全、混合动力和全电动汽车、下一代无线基础设施、智能能源管理、便携式医疗器件、消费电器以及智能移动器件等。公司总部位于德克萨斯州奥斯汀市,在全世界拥有多家设计、研发、制造和销售机构。

 

 

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