诺•格公司推出新型氮化镓MMIC器件生产线

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诺斯罗普•格鲁门公司已开发出了一条氮化镓(GaN)单片微波集成电路(MMIC)生产线,满足军事和商业需求。这些器件代表了公司具备了氮化镓基元件的商业化能力。

诺•格公司正在对3种氮化镓MMIC产品进行初步工程评估采样。诺•格公司航空系统微电子产品和服务(MPS)部门总经理弗兰克科勒斯科特说,这些产品将应用到国防和商业卫星地面通信终端市场和商用无线基础设施市场。

这3种MMIC产品的性能特点:

(1)APN149 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)MMIC功率放大器芯片:运行频率18~23GHz,在1 dB增益压缩时提供20 dB线性增益,+36 dBm(4W)输出功率,饱和输出功率为+38 dBm(6.3 W),功率附加效率(PAE)大于30%。

(2)APN180 GaN HEMT MMIC功率放大器芯片:运行频率27~31 GHz,在1 dB增益压缩时提供21dB线性增益,+38 dBm(6.3W)输出功率,饱和输出功率为+39 dBm(8 W),中频功率附加效率30%。对于要求不高的应用,APN180可以运行+20 V漏极电压,同时产生+37 dBm(5 W)饱和输出功率。

(3)APN167 GaN HEMT MMIC功率放大器芯片:运行频率43~46 GHz,在1 dB增益压缩时提供20dB线性增益,+35.5 dBm(3.5W)输出功率,饱和输出功率为+38.5 dBm(7W),中频功率附加效率19%。

科勒斯科特指出,诺•格公司计划在未来数月内将首批产品推向市场。这一系列产品将采用是诺•格公司的0.2微米GaN HEMT工艺,根据DARPA射频应用宽禁带半导体计划(WBGS-RF)研发。DARPA在2002年授予诺•格公司首个GaN关键技术开发合同。GaN器件也是诺•格团队最近推出的低成本终端的关键组成部分。

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