Microsemi推出S波段RF功率晶体管

分享到:

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

  在2.7 至2.9 GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能,通过单一器件在这个频段上提供最大功率,主要特性包括:

  标准脉冲间歇格式: 100µs, 10 % DF

  出色的输出功率: 500W

  高功率增益: >11.5 dB min

  漏极偏压−Vdd: +65V

  低热阻: 0.2℃/W

  使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括:

  具有简化阻抗匹配的单端设计,替代需要额外合成的较低功率器件

  最高峰值功率和功率增益,可减少系统功率级数与末级合成

  单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率,通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率

  65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求

  极其稳健的性能提升了系统良率,而且

  放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%

继续阅读
半导体行业收购不断,skyworks将收购Microsemi

据知情人士透露,在Skyworks提出收购协议后,芯片制造商Microsemi进入交易流程。

S波段固态功率放大器的仿真设计

微波功率放大器作为发射机单元中至关重要的部件在许多微波电子设备和系统中广泛应用,如现代无线通信、卫星收发设备、雷达、遥测遥控系统、电子对抗等。传统的大功率放大器用真空管来实现,随着半导体器件的不断发展,固态器件的优势不断明显,微波固态功率放大器具有体积小、工作电压低、稳定性高、良好的可重复性等优点在许多领域倍受青睐。本文研究的是S波段的大功率固态放大器,输出功率是180W的连续波,工作频率为2.0GHz到2.3GHz,功率增益大于13dB,增益平坦度小于+/-1.0dB,1 dB增益压缩点处的输出功率为5

中国电科38所研制出国内首款硅基P波段T/R多功能芯片

日前,国内首款采用硅基工艺的P波段T/R多功能芯片在合肥问世,这是继S波段硅基变频收发芯片之后,又一款由中国电子科技集团公司第三十八研究所自主研发,拥有完全自主知识产权的微波芯片。

北方通用电子集团大功率微波器件研制取得突破

近日,中国兵器工业集团电子集团博普公司开发出性能达到初样设计标准的高频、宽带大功率微波器件样品。该宽频的微波功率器件在国内属于领先水平。

恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管

恩智浦半导体近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。