诺格研发砷化镓(GaAs)E波段MMIC

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据中国国防科技信息网报道,美国诺格公司研发出新的砷化镓(GaAs)E波段单片微波集成电路(MMIC)高功率放大器APH667和APH668,工作频率分别为81~86GHz和71~76GHz。

  诺格公司在2004年成为第一家提供E波段半导体器件产品的公司。诺格宇航系统微电子产品和服务部门经理Frank Kropschot称,这些新产品是诺格持续推进GaAs技术发展的证明。
Frank说“客户通常将E波段的几个MMIC产品组合在一起,以取得更高输出功率。APH667和APH668将显著减少实现这些目标所需的器件数目、简化产品结构和提升性能。”

  产品描述如下:
APH667:0.1mm GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)微波单片集成电路(MMIC)功率放大器,工作频率为81~86GHz,线性增益为17dB,典型饱和输出功率为25.5dBm(0.35W)。

  APH668:0.1mm GaAs HEMT MMIC功率放大器芯片,工作频率为71~76GHz,线性增益为19dB,典型饱和输出功率为28dBm(0.63W)。
APH667和APH668将在2013年第三季度实现预量产,在2013年第四季度实现量产。

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