半导体研究所制备成功RF MEMS振荡器

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   中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,在自然科学基金、中科院项目的支持下,经过努力探索,制备成功RF MEMS振荡器。

  基于微纳谐振器的MEMS振荡器,具有高频、高品质因子(>103),可与IC电路在同一芯片集成,实现系统小型化,在军民两用高技术领域具有非常广泛的应用。

  中国科学院半导体研究所成功制作了高性能全硅MEMS振荡器,基频达149MHz,高阶频率达868MHz,大气中品质因子>8000,相位噪声在1kHz达到-68dBc/Hz,10kHz达到-95 dBc/Hz,短期频率稳定度小于±1 ppm,中期频率稳定度-5 ppm --2 ppm。全硅MEMS振荡器比石英晶振在性能、体积和生产成本方面明显占优,更符合现代电子产品的标准。全球时脉市场规模达50亿美元,目前MEMS振荡器市场占有率在4%以下,但预估2013~2015年,将有高达100%的年增长率。

  半导体所在谐振器设计、制作、封装和驱动电路研制方面取得了一系列具有自主知识产权的研究成果,技术已成熟,正在转让。

 

 

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微波电路设计:PLL/VCO技术如何提升性能?

本文重点介绍近些年微波电路设计取得的进步,这意味着现在采用硅芯片技术中的低相位噪声 VCO 可以覆盖一个倍频程范围。

MEMS封装市场快速增长,RF MEMS封装增长最快

MEMS的特点是设计和制造技术多而广,且没有标准化工艺。MEMS的应用范围具有广泛且分散的特点。因此,MEMS封装必须能满足不同应用的需求,例如在不同介质环境中的保护能力、气密性、互连类型、热管理等。从消费类应用的低成本封装方式到汽车和航空行业的耐高温和抗恶劣气候的高可靠性封装;从裸露在大气环境下的封装方式到密闭式的封装方式,各种封装类型对MEMS封装行业提出了诸多挑战。

RF MEMS与RF SOI技术谁能称霸?

即便不考虑RF设备和工艺类型的变革,当今RF市场的挑战也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司总裁兼首席执行官Paul Dal Santo表示:“几年前,RF还是一项相当简单的设计,但是现在,事情已经发生了大大的改变。首先,您的射频前端必须处理范围非常广泛的频带,从600MHz一直延伸到3GHz。随着更加先进的5G技术的到来,频段将进一步上延,达到5GHz至60GHz。这给前端RF设计师带来了一些难以置信的挑战。”

电路中的晶振和匹配电容的总结

石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。

浅析振荡器与谐振器

在以前,时常会把谐振器和振荡器搞混。经历了一些时间的对比,大概整理一下。我们习惯称晶振,这个讲法其实很模糊。这里把有源的称为振荡器,无源的称为谐振器。