Qorvo®推出业界最强大的GaN-on-SiC晶体管
发布时间：2018-03-14 15:47:37
来源：Qorvo官网
创新的射频解决方案，连接世界的领先供应商Qorvo，今天宣布推出世界上最高功率氮化硅基氮化镓的RF晶体管。QPD1025以65千伏的1.8KW电压工作，为L波段航空电子设备和鉴别敌友（IFF）应用提供了出色的信号完整性和扩展范围。
Strategy Analytics战略技术实践部执行总监Asif Anwar表示：“Qorvo的QPD1025晶体管代表了这一领域的真正改变。它提供了与硅LDMOS和硅双极型器件相当的脉冲功率和占空比性能，但其效率显着提高。Qorvo进一步实现了这种高功率和高效率，而无需将金刚石等特殊材料引入到热管理流程中，从而确保成本效益的解决方案。“
Qorvo高功率解决方案总经理Roger Hall表示：“这款新型高功率晶体管通过消除组合放大器难以实现的多千瓦解决方案，为客户节省时间和金钱。QPD1025的漏极效率明显提高，并且使LDMOS效率提高了近15个百分点，这在IFF和航空电子应用中具有重要意义。“
Qorvo提供业界最大，最具创新性的GaN-on-SiC产品组合。该公司的产品具有高功率密度，体积小，出色的增益，高可靠性和工艺成熟性，批量生产时间可追溯至2000年。有关Qorvo GaN-on-SiC优点的更多信息可在此处和本视频中获得。
QPD1025的工程样品现已上市。
| QPD1025 1800 Watt, 65-Volt GaN RF Input-Matched Transistor |
|---|
| Frequency Range: 1.0 to 1.1 GHz |
| Linear Gain: 22.5 dB (@1.0 GHz Load Pull) |
| Typical PAE3dB: 77.2% (@1.0 GHz Load Pull) |
| CW and Pulse capable |
| Package: 4-lead NI-1230 (earless) |
继续阅读
在本节中，我们来简要介绍一下UWB的系统组件，以及硬件和软件选择如何影响系统的性能。
在多方的推动下，Wi-Fi 7技术和相应的产品在最近几个月知名度大增。尤其是在网络关键接口的路由器方面，各大厂商都卯足劲，希望籍此卡住家庭网络最重要的一个入口。这就推动企业在这个领域展开了激烈竞争。
2024年4月11日，全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo®在京顺利举办以“春光作序，万物更‘芯’”为主题的媒体日。Qorvo依托强大的技术能力以及对于市场动态的捕捉，为业内以及消费者提供多样的技术应用与创新，深入到移动通讯、基础设施、电源管理、物联网、汽车电子、消费电子等多个应用领域。
随着科技的不断进步，智能手机已经成为我们日常生活中不可或缺的一部分。而在众多品牌中，三星以其出色的工艺和创新技术，一直备受消费者的喜爱。今天，我们将通过拆解三星旗舰机S7 Edge，来探寻其背后的工艺与创新的完美结合。
在电子工程中，逻辑电路是构建数字系统和计算机的基础。晶体管逻辑电路是其中的一类，它们使用晶体管作为开关元件来实现逻辑功能。
