Qorvo技术发展总监Julio Costa荣获“SOI产业推广杰出贡献奖”
发布时间：2018-09-26 12:30:28
来源：Qorvo半导体
9月19日，由SOI产业联盟、上海新傲科技、芯原微电子、SIMIT和硅产业集团组织的“2018国际RF-SOI研讨会”在上海浦东香格里拉大酒店举行。来自全球近400位RF-SOI领域的行业领袖和技术专家集聚研讨座谈，共同推动RF-SOI技术和产业的发展。
在本届RF-SOI论坛上，SOI产业联盟评选出“SOI产业推广杰出贡献奖”，Qorvo技术发展总监Julio Costa博士荣获本年度的奖项。该奖项迄今共颁发了三次，只给对SOI 技术和产品有特殊贡献的业界专家，Julio Costa博士获此殊荣说明SOI产业界对Qorvo在以SOI为基础的射频前端的贡献得到国际产业界认可。
Qorvo技术发展总监Julio Costa（左）荣获“SOI产业推广杰出贡献奖”
RF-SOI发展契机：5G商用
众所周知，RF-SOI是专门用于制造智能手机和其他产品中的特定射频芯片（如开关和天线调谐器）的专用工艺。据Semi Engineering网站报道，由于5G的到来，未来智能手机对RF-SOI工艺芯片有着巨大需求。
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SOI产业联盟执行董事Carlos Mazure博士表示，RF-SOI生态系统已经建立完善，并成为射频前端（FEM）、天线调谐器和天线开关模块（ASM）中的开关芯片的主流技术。相比传统的GaAs工艺，RF-SOI可以同时提供优良的性能和低廉的成本。目前，RF-SOI已经占据了95%的相关市场份额，该技术有利于IoT连接和5G的发展。
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SOI产业联盟执行董事Carlos Mazure博士表示，RF-SOI生态系统已经建立完善，并成为射频前端（FEM）、天线调谐器和天线开关模块（ASM）中的开关芯片的主流技术。相比传统的GaAs工艺，RF-SOI可以同时提供优良的性能和低廉的成本。目前，RF-SOI已经占据了95%的相关市场份额，该技术有利于IoT连接和5G的发展。
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微波集成电路采用的工艺主要有GaAs、SiGe BiCMOS、CMOS和RF-SOI。传统采用的是GaAs，其优点是RF性能好、击穿电压高，缺点是成本高、难于集成。
目前，业界越来越多的公司都看重RF-SOI的发展，并不断加大研发投入，其在功耗、易于集成方面具有先天优势，但在击穿电压方面还有挑战，如何提升它们的击穿电压，以实现好的线性度和大信号处理能力，是摆在研发工程师面前的首要问题。
同时，随着5G的到来，对RF-SOI提出了更多需求。简单地说，无线网络中频段的数量增加了，因此智能手机中会增加更多RF元件，例如基于RF-SOI的射频开关，以解决这些频段的复杂性及其他问题。
在RF前端，RF-SOI工艺技术应用很广，除了滤波器其他都可以采用RF-SOI工艺技术，更重要的是，这些功能都可以在同一片RF应用前端模块上实现。虽然目前GaAs在PA处于垄断，但是RF-SOI也在不断的进行技术革新，将来PA市场上一定会有RF-SOI的一席之地。
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