Qorvo 新款 GaN FEM 让毫米波相控阵系统变得更小、功能更强大

分享到:

据 SNS Telecom & IT 介绍,28 GHz 频段是早期基于 5G 的固定无线接入 (FWA) 部署的首选频段,使运营商能够满足 5G 对速度、延迟、可靠性和容量的要求。

QPF4001 FEM 在单个 MMIC 中集成了高线性度 LNA、低损耗发射/接收开关和高增益、高效率多级 PA。针对 5G 基站架构中间隔 28 GHz 的相控阵元件,对紧凑型 5x4 毫米气腔层表贴封装进行了优化。

屏幕快照 2019-01-11 上午9.54.21

Qorvo 的新款 GaN FEM 让毫米波相控阵系统变得更小、功能更强大,也更加高效,能够把信号引导到需要更多带宽的区域。本应用采用了 Qorvo 的高效率 0.15 微米 GaN-on-SiC 技术,让用户能够更高效的达到更高的 EIRP 级别,同时最小化阵列尺寸和功耗,从而降低系统成本。

Qorvo IDP事业部总裁 James Klein 说:“Qorvo 利用我们具有悠久历史的毫米波技术,让 5G 成为现实。三十年来,我们一直在解决点对点、卫星通信和国防行业采用的集成电路所面临的功率、尺寸和效率挑战,这些努力促成了如今 Qorvo 的 5G 创新。我们的 GaN 技术被用于进行数十次 5G 现场试验,而这个新模块将进一步减小尺寸和功耗,对于对毫米波频率产生关键影响的超小阵列,这一点至关重要。”

继续阅读
GaN在射频中,究竟有多大市场?

近年来,GaN凭借高频下更高的功率输出和更小的占位面积,被射频行业大量应用。在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下,预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。

5G落败已成定局!美国或将直接发展6G?

大家都知道,5G时代已经离我们越来越近,而5G的到来也的确会给我们生活带来极大的改变。甚至有的国家把5G的争夺上升到了战略层面,在全球进行资源的抢夺,以便取得新技术革命的主导权。

带你看GaN在射频的突出表现及前景分析

据麦姆斯咨询介绍,近年来,GaN凭借高频下更高的功率输出和更小的占位面积,被射频行业大量应用。在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下,预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。

我们或将见证5G引发的手机“进化”之路!

5G网络的低延迟特性将彻底改变用户体验,并支持新应用。

5G和汽车两大市场驱动力深度解读

化合物半导体主要指砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第二、第三代半导体,相比第一代单质半导体,在高频性能、高温性能方面优异很多。随着5G 提速和汽车电气化,化合物半导体的使用空间越来越大。