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未来几年会出现哪些GaN 创新技术?

现在GaN很火 ,人们似乎忘记了GaN 依然是一项相对较新的技术,仍处于发展初期,还有较 大的改进潜力和完善空间。本文将介绍多项即将出现的 GaN 创新技术,并预测未来几年这 些创新技术对基站设计和发展的影响。

为什么说 GaN 是 5G 的超级“动力”

虽然有些人认为 GaN 仍是一种相对较新的技术,但却无法否认它跻身一流技术行列的事实。GaN(又名“氮化镓”)技术即将取代硅 LDMOS,后者一直以来都是高功率应用的首选。GaN 是一种 III-V 直接带隙半导体技术。由于其具备更高的效率、出色的高压可持续性、更低的功耗、更高的温度属性和功率处理特性,GaN 在功率电子设备领域的应用越来越广泛。

GaN射频技术发展趋势

以5G为代表的Sub 6G通信射频系统非常复杂,尤其是那些需要使用高载波频率和宽频带的新技术,包括载波聚合、Massive MIMO等。为此,很多半导体公司在技术上全面开花希望利用先进的半导体工艺技术应对甚至引领新一代的通信技术需求。以ADI为例,该公司全面拥有GaN、GaAs和SiGe以及28纳米CMOS等完整工艺,努力打造更具高集成度、低功耗和低成本的整合系统解决方案。 然而,在下一步的5G系统部署以及高端测试应用和卫星及航天应用中,无疑以高带宽和大功率为优势的GaN是其中的佼佼者,正在进入许多应用

Yole:2025年,GaN RF市场规模将超过20亿美元

日前,市场分析机构Yole Développement 发布了2020年第四季度复合半导体季度市场监测报告。据报告预测,截至 2025 年,GaN RF3器件市场整体规模将超过 20 亿美元。Yole进一步指出,在2019 年至 2025 年间,GaN RF的 CAGR为 12%。

GaN:实现 5G 的关键技术

日前,由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”隆重举行。Qorvo 无线基础设施部门高级应用工程师周鹏飞也受邀参与了这次盛会,并发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。