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为什么GaN用于D类放大器独有优势

多年来,设计人员一直在使用 Si MOSFET 进行 D 类放大器设计,这要归功于其在性能优化方面不断取得的进步。然而,要进一步改进 Si MOSFET 功能和特性已经非常困难。此外,降低 RDS(on)将需要更大的晶片尺寸,导致更难以构建紧凑的音频放大器设计。然而,GaN HEMT 突破了这一限制,同时也消除了 Qrr,再加上较低的 Coss 以及在较高开关频率下运行的能力,可以创建体积更小、更加紧凑的设计,通常情况下无需使用散热器。所进行的 THD+N 测量还表明,这项新技术可以实现出色的音频性能。

射频前端

5G 愿景的真正实现,还需要更多创新。网络基站和用户设备(例如:手机)变得越来越纤薄和小巧,能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备,许多射频应用所使用的印刷电路板(PCB)也在不断减小尺寸。因此,射频应用供应商必须开发新的封装技术,尽量减小射频组件的占位面积。再进一步,部分供应商开始开发系统级封装办法(SiP),以减少射频组件的数量——尽管这种办法将会增加封装成本。

浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺

半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在 1mΩ·cm~1GΩ·cm 范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展,高频电路应用越来越广,今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。

氮化镓是实现 5G 的关键技术

日前,与 SEMICON CHINA 2020 同期的功率及化合物半导体国际论坛 2020 在上海隆重举行,Qorvo FAE 经理荀颖也在论坛上发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。

65 V GaN改造雷达市场:这对你来说意味着什么

65 Volt GaN正在打造新一代雷达系统,旨在提高安全性和监测一些商业应用。65伏GaN也在帮助推动雷达市场到2027年的增长。根据战略分析到2022年,雷达市场将超过10亿美元,预计65伏GaN将渗透这一市场的主要部分。