5G的关键技术：氮化镓
在日前举办的IC China 化合物半导体产业趋势论坛上，Qorvo应用市场总监黄靖先生作了一个题为《5G关键技术：GaN》的演讲，为我们大家披露了这种化学物半导体在5G的“妙用”。
Qorvo 应用市场总监 黄靖
在黄靖看来，从4G往5G升级的过程中，我们将会看到化合物半导体的爆发性增长。尤其是在5G MIMO PA带来的增长势头更是凶猛。在未来几年，不论在5G基站还是4G基站中，氮化镓将成为市场的主流选择并将具有强大的商业增长动力。
以国内为例，黄靖指出，今年国内部署的5G基站将会达到10万个，而到了2020年，国内将会迎来四十万到八十万规模的5G基站部署。5G MIMO阵面将达到64个天线。这样庞大的天线阵在功耗，尺寸，成本等方面都面临前所未有的挑战。如何运用先进的复合半导体工艺达到最优的系统指标成为5G MIMO的关键之一。
对于运营商来说，如何在5G基站的成本，可靠性，性能等方面找到一个最优方案，也成为他们着重考虑的问题。在传统材料的局限开始凸显的时候，氮化镓就开始走到了前台。
黄靖表示，氮化镓材料本身的特性让它们拥有如高可靠性、高带宽和支持更高的频率的特点，如果想要做到同样的性能指标，氮化镓器件的尺寸会较之其材料小很多，这也是氮化镓的一个必须要谈的优势。因为这样的话，利用氮化镓器件打造的产品尺寸和成本都会下降，整机效率获得了极大的提升。整个设备的尺寸变小，也更便于塔上安装。
“氮化镓带来的上述优势是其它材料所不能达到的”，黄靖强调。“作为业界领先的射频方案供应商，Qrovo也提出了一系列的氮化镓产品”，黄靖补充说，
从他的介绍我们得知，Qorvo推出了基于0.25微米工艺推出了一系列会被应用到基站的的氮化镓产品。同时，Qorvo的0.15微米和90纳米工艺的更多氮化镓产品，也以适应更高频率的需求。
“同时，我们会根据不同的应用场景，根据需要把GaN，GaAs，SOI等不同材料以MCM的模式组装到一起，提供高集成，小尺寸，低成本的解决方案。这样的方案也是大规模应用的正确选择”。黄靖说。
本文来自Qorvo公众号
射频前端市场将以8%的年均复合增长率增长，有望从2018年的150亿美元，到2025年达到258亿美元。特别是在5G的助力下，射频前端市场前景可期。
无线连接与物联网 (IoT) 已融为一体。据国际数据公司 (IDC) 估计，到 2025 年，将有 416 亿台互联的物联网设备或“物体”，产生 79.4 ZB 的数据。网状网络将成为家庭、城市和企业环境中的物联网设备使用这些海量数据的关键机制。所有这些在我们的世界中如何环环相扣（一语双关）？而 Qorvo 又发挥了怎样的积极作用？Tony Testa 对此提供了一些相关的见解。
要设计多个移动天线？面临效率下降问题？这里有一份指南，可帮助您使用 COFF 电容设备开发天线性能出色的产品，从而提高系统效率，扩大覆盖范围。
射频前端市场将以8%的年均复合增长率增长，从2018年的150亿美元，有望到2025年达到258亿美元。加上5G技术的助力，射频前端市场的重要性和市场红利不言而喻，因而近来射频前端领域涌现了不少重大事件。
中国北京，2020 年 10 月 21 日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布联合其他领先的无线芯片组提供商和射频前端供应商联合成立 OpenRF™ (开放式射频协会)。该联盟致力于将多模式射频前端和芯片组平台的硬件和软件功能互操作性扩展到 5G 时代，同时满足客户对开放式架构的需求。其创始成员包括 Broadcom Inc.、Intel Corporation、MediaTek Inc.、Murata Man
