为什么说 GaN 是 5G 的超级“动力”
众所周知,硅作为一种半导体开关材料,在传导和动态损耗方面都已接近其性能极限。于是,性能更佳的碳化硅和氮化镓宽带隙技术越来越多地进入了人们的考量范围。这些材料具有更好的介质击穿特性,可以打造更薄、掺杂更重、导通电阻更低的阻挡层,同时,更小的晶粒尺寸还可以降低器件电容和动态损耗。
过去几年,以互联(Connected)、自动(Autonomous)、共享(Sharing)和电动(Electric)为代表的 “CASE” 浪潮席卷汽车产业。这在给消费者带来全新体验的同时,也给半导体企业带来了全所未有的机会。
2023 年 2 月 1 日,移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo,宣布,全球科技品牌荣耀向该公司颁发了 2022 年度金牌供应商奖,以表彰其卓越表现和技术协作。2022 年 12 月 8 日,Qorvo 总裁兼首席执行官 Bob Bruggeworth 在加州圣何塞办事处接受了颁奖。
5G MM 这个概念相信有很多人并不是很熟悉,主要原因在MM上,Massive MIMO(简称作M-MIMO或者MM),作为5G的核心技术,是承载在AAU之上的,而AAU内部的天线阵列,则是实现Massive MIMO的最重要的载体。
这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。