打造新型功率器件

切片工艺变得越来越且要求高。切割迹道变得越窄,可能充满测试用衰耗器,并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到最大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和先进的工艺控制能力。
开关电源是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源或是直流电源,而输出多半是需要直流电源的设备,例如个人电脑,而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。
在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC(如今为 Qorvo)SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构,其效率高于 IGBT,且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过,这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说,成本、尺寸和重量也是很重要的因素。
在射频学习的过程中,需要做很多的测试,测试实验的话就免不了出现一些问题,失真就是其中的一种。当两个或多个信号频率同时通过同一个无缘射频传输系统时,由于传输系统的非线性影响,使基频信号之间产生非线性频率分量,这种现象被称为交调。这些交调产物如果落在接收频带内,又足够的强,则形成对基波信号频率的干扰,称这种干扰为或无源交调失真。
光增强电化学(PEC)湿式蚀刻也被证明可以用于GaN的蚀刻,但在大多数情况下,产生的表面非常粗糙。最近,氮化镓型采用了包括晶体湿化学蚀刻在内的两步法。这个过程包括一个传统的蚀刻步骤,如干式蚀刻,然后是第二个,晶体学的湿式蚀刻步骤。两步过程提供了平滑的表面,可用于创建下切、超切或垂直侧壁。然而,这种技术尚未被证明为p型氮化镓;本文报告了第一次p型氮化镓的晶体学湿法蚀刻。