SemiPowerEx SiC 电源模块

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采用 UnitedSiC 器件,让电源模块系统更稳定、更经济
 
Qorvo UnitedSiC SiC FET
 
SemiPowerEx 总部位于韩国,是一家采用 Si、IGBT 以及宽带隙 SiC 和 GaN 解决方案设计和制造半导体电源模块的技术创新企业。SemiPowerEx 模块使用了热导率较高的 AIN 基板,可提高热效率、缩小系统整体尺寸,帮助客户降低散热器成本。
 
为使 SiC 电源模块拥有更高性能,SemiPowerEx 需要探索各种先进方法实现 SiC FET 器件的最佳性能,包括改进与 di/dt 和 dv/dt 斜率控制和栅极噪音控制相关的信号管理,同时确保目标性能基准超过 Si MOSFET/IGBT 模块的性能基准。
 
解决方案
 
对现有模块进行了升级,并添加了 UnitedSiC 推荐的 RC 缓冲器电路,从而实现了稳定的信号控制(缓冲器位于螺栓固定式端子模块的内部)。
 
 
Qorvo UnitedSiC SiC FET
图 1. SemiPowerEx SiC FET 电源模块
 
优势
 
使用推荐的 RC 缓冲器控制方法以及 UnitedSiC FET 后,SemiPowerEx 即使在高频率下也能够缩小系统尺寸,提高系统效率,确保系统稳定运行。
 
系统更小巧,成本更低
 
根据 SemiPowerEx 估计,使用 UnitedSiC FET 和 RC 缓冲器电路,可帮助最终客户将系统尺寸缩小约 20%,成本降低约 10%。
 
效率和开关速度都更高
 
与使用 IGBT 相比,使用 1200V 9mohm SiC FET 时,开关频率最高可增加 3 倍。与使用 Si FET 电路和 IGBT 电路相比,使用 650V SiC FET 时的开关频率分别增加了 2 倍和 3 倍。
 
Qorvo UnitedSiC SiC FET
D.K. Jang,首席执行官SemiPowerEx
 
“在 UnitedSiC FET 的帮助下,我们得以开发功率转换系统优化的 SiC 电源模块。UnitedSiC FET 具有更高的栅极-源极阈值电压、更低的 RDS(ON) 和更高的跨导性能。同时,非常感谢 UnitedSiC 工程团队提供的出色技术支持,他们在实验室对我们的电源模块样品进行了性能测试,并为我们提供了 RC 缓冲器最佳值方面的建议,这有助于我们生产出高性能 SiC 电源模块。”
 
本文转载自Qorvo半导体微信公众号
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