利用SiC FET独特优势,巩固领先地位

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回首2023,碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步?出现了哪些变化?2024将迎来哪些新机遇和新挑战?
 
为更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024,火力全开》专题报道。
 
本期嘉宾是Qorvo功率器件总监/SiC 产品线经理Ramanan Natarajan。以下为部分精彩观点。
 
Qorvo功率器件总监
 
开发750V TOLL封装SiC FET
进军光储充、动力总成等多个市场
 
行家说三代半:过去一年,贵公司主要做了哪些关键性工作?
 
Ramanan:Qorvo是业内唯一一家基于JFET技术打造行业标准SiC FET产品的公司;从而助力更丰富的功率转换与电路保护应用。Qorvo提供业界最广泛的分立式FET产品组合(涵盖650-1700V、5-400mohms、SMD和TH封装等)。
 
在产品研发方面,2023年,Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封装750V FET,这是任何其它功率半导体技术(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均无法超越的。
 
具体来看,TOLL封装750V SiC FET,导通电阻范围在5.4mΩ-60mΩ之间;另一款AEC级750V和1200V SiC FET,采用低电感SMD封装D2PAK-7L。
 
行家说三代半:2023年贵公司取得了哪些成绩?
 
碳化硅在应用领域有哪些进展与案例?Ramanan:Qorvo的SiC FET产品已广泛应用于光伏和储能、直流快速充电器、电动汽车动力总成、服务器/数据中心/工业PSU等多个市场。Qorvo的650-1200V SiC FET在任何特定封装中都能提供电阻最低的产品。
 
SiC FET具备独特优势
单晶圆芯片数多2-4倍
 
行家说三代半:相较于SiC MOS产品,贵公司的SiC FET的产品有哪些独特之处和优势?还有哪些新的技术进展?
 
Ramanan:Qorvo SiC FET的特点包括——
在给定RDS(on)条件下,SiC芯片尺寸更小,从而实现对SiC衬底用量的最有效利用;
 
在给定封装尺寸中具有最低的RDS(on),同时结合最低的反向压降,能在软开关应用中实现最高效率;
 
与类似的SiC MOSFET相比,COSS(输出电容)更低,带来更快的开关速度,工作频率更高,由此缩小了臃肿无源元件(电感器、电容器)的尺寸;
 
+/-20V栅极电压能力:与所有竞品技术的栅极驱动电路兼容;
 
Qorvo SiC基于JFET技术,无SiC栅极氧化物可靠性问题;
 
此外,在与SiC MOS芯片尺寸相同的情况下,Qorvo SiC JFET技术实现了以下目标——650V电压下,导通电阻比SiC MOSFET低3-4倍;
 
1200V电压下,导通电阻比SiC MOSFET低2倍;
 
对于相同的FET导通电阻,Qorvo的SiC JFET技术可实现:
 
更小的芯片尺寸;每片晶圆上容纳的芯片数量增加2-4倍,从而提升制造吞吐量;
更低的器件“寄生”电容。
 
优化产品组合
巩固SiC FET领先地位
 
行家说三代半:未来8英寸产品的商用化进程是怎样的?2024年贵司在产能或技术上有哪些规划?
 
Ramanan:6英寸仍然是整个行业的主流平台;越来越多的衬底供应商提供6英寸SiC晶圆,从而降低了成本。对于8英寸,目前仍存在良率较低、晶圆成本较高等挑战。
 
2024年,SiC器件的需求呈增长趋势,Qorvo将持续优化产品组合,以充分利用在分立式SiC FET产品领域的领先地位。
 
文章转载自Qorvo半导体
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