【预约直播】看Qorvo SiC FET如何进一步解锁更低损耗！
直播预告
6月12日，Qorvo将在PowerUP Asia 2024上介绍其创新解决方案，点击阅读原文，锁定Qorvo虚拟展台，了解Qorvo SiC FET如何进一步降低ZVS软开关的损耗！
主题：Qorvo SiC FET在ZVS软开关应用中表现出色
时间：6月12日10:55-11:15
主讲：Mike Zhu，Qorvo高级产品应用工程师
Qorvo SiC FET可同时解决ZVS软开关应用中的主要损耗成分（传导损耗和关断开关损耗）。由于其独特的级联器件结构，它还具有低栅极驱动损耗、低时间相关输出电容、低体二极管压降等优势。本讲座将详细解释其优势器件结构，以及其性能优于硅超结和碳化硅MOSFET的原因。50kW移相全桥的模拟基准表明，与基于SiC MOSFET的E1B半桥模块相比，基于Qorvo SiC FET的E1B半桥模块的关断损耗降低了74%，满载时的结温降低了10%。
文章转载自Qorvo半导体公众号
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