GaN助推剂,推动着RF功率半导体市场上扬

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ABI Research公司发现,2018年,RF功率半导体(<4 GHz和>3W)的支出继续增长,超过15亿美元大关。无线基础设施部分也发生了变化,所有的部分都在上升。长期以来被认为有希望成为RF功率半导体的新型“首选材料”的氮化镓(GaN)正在继续抢占市场份额.

 

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“GaN在2018年获得了市场份额,并预计在未来几年将成为一支重要力量,”ABI Research总监Lance Wilson指出:“它弥合了两项较老技术之间的差距,展示了砷化镓的高频性能,并结合硅LDMOS的功率处理能力。GaN现在是一项主流技术,已经取得了超过可衡量的市场份额,并将在未来占据超过四分之一的市场份额。”


无线基础设施虽然约占RF功率半导体总销售额的三分之二,但其2018年下半年表现强劲。在2019年至2024年的预测期间,无线基础设施以外的其他领域的增长正在显示出个位数的复合年增长率。


在无线基础设施以外的采用RF功率半导体的业务中,垂直市场显示出最大的增长,主要是商业航空电子设备和空中交通管制,Wilson称这是“一个重要的市场”。虽然这些设备的生产商是在主要的工业化国家,但这个细分市场现在已经如此全球化,终端设备买家可以从任何地方采购。

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ABI Research公司发现,2018年,RF功率半导体(<4 GHz和>3W)的支出继续增长,超过15亿美元大关。无线基础设施部分也发生了变化,所有的部分都在上升。长期以来被认为有希望成为RF功率半导体的新型“首选材料”的氮化镓(GaN)正在继续抢占市场份额。