GaN技术的可靠性报告

标签:GaNEPC器件
分享到:

在器件通过数百万个器件-小时严谨的应力测试后,宜普电源转换公司(EPC)发布可靠性测试报告以记录氮化镓(GaN)技术的可靠性

宜普电源转换公司(EPC)发布第八阶段可靠性测试报告。该报告表明,在累计超过800万个器件-小时的应力测试后,没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试,并且分析器件失效的物理原因。

20160802103733588

宜普电源转换公司的第八阶段可靠性测试报告证明氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路在被确认为合格产品前,经受各种非常严谨并符合JEDEC认证标准的应力测试。

本报告提供特定产品在经受数百万个器件-小时的应力测试后所得出的详细结果。除了利用应力测试来认证产品的可靠性外,我们对产品的其它方面也进行了尽职调查,包括器件的现场可靠性、在器件的工作寿命内的失效情况及整块电路板的可靠性。第八阶段可靠性测试报告尤其集中探讨以下三个部分的测试 :

I:器件的现场可靠性

·   探讨器件的现场失效情况
·   器件在组装时发生失效的情况
·   器件在应用中发生失效的情况
·   芯片本质的认证

II:器件的早期寿命失效情况与器件的应力疲劳特性

·   器件的早期寿命失效率(ELFR)
·   电子迁移效应(Electromigration)

III:整块电路板的可靠性及热机械性能

·   间歇工作寿命(IOL)测试
·   温度循环(TC)测试
·   整块电路板的可靠性测试

在客户的应用中,要取得EPC器件可靠性的认证,客户可以参考我们的第七阶段可靠性测试报告(该报告表明,eGaN FET及集成电路具备卓越的现场可靠性—这些器件在经受超过170亿器件-小时测试后,得出非常低的失效率(低于1 FIT,代表器件经受10亿小时的测试后的失效器件),以及参考第八阶段可靠性测试报告。这些累计的器件可靠性资料展示出eGaN FET及集成电路是非常可靠的器件,以及在目前的终端产品的合理寿命内,eGaN FET及集成电路的失效概率是非常低的。

宜普公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow博士说:“要展示全新技术的可靠性是一个重大的挑战。我们非常重视所有产品的可靠性。第八阶段可靠性测试报告所阐述的各项测试及报告的结果表明,由于宜普电源转换公司的氮化镓产品具备必备的高可靠性,因此成为替代硅基器件的首选半导体器件。”

宜普电转换公司

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、光学遥感技术(LiDAR)及D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

 

继续阅读
GaN:实现 5G 的关键技术

日前,由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”隆重举行。Qorvo 无线基础设施部门高级应用工程师周鹏飞也受邀参与了这次盛会,并发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。

9 月 22,Qorvo 将为你带来 GaN 射频的精彩分享

为进一步推动中国芯片设计能力的提升,由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”将于 9 月 22 日隆重举行。峰会将集聚产业学术大咖、行业顶尖专家和民间技术精英,共同探讨集成电路产业前沿技术及实践经验,关注 IC 设计思想和方法,旨在推动产业的协同创新,助力我国集成电路产业快速发展。

Yole:2025 年,GaN RF市场规模将超过 20 亿美元

知名市场分析机构 Yole Développement(Yole)在其报告中表示,在过去的几年中,射频(RF)应用由于 GaN 技术的实施而得到了推动。但 GaN RF 市场的主要驱动力仍然是电信和国防应用。他们进一步指出,到 2025 年,整个 GaN RF 市场将从 2019 年的 7.4 亿美元增长到超过 20 亿美元,复合年增长率为 12%。

5G功放技术战:GaN和LDMOS各擅胜场

5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,简称功放)芯片及其他射频组件的需求持续增长,成为各家射频公司争夺的焦点。

“兽中之王”宝座,值得大GaN一场

历史惊人般巧合,GaN义无反顾走上MOSFET老路,而登上“兽中之王”宝座的途中,GaN产业链上下游还需做哪些准备?